文献

J-GLOBAL ID：201702279190438121   整理番号：17A0168463

多状態近赤外エレクトロクロミズム,イオンセンシングと情報貯蔵のための酸化還元活性ルテニウム錯体の電解重合膜【Powered by NICT】

Electropolymerized films of redox-active ruthenium complexes for multistate near-infrared electrochromism, ion sensing, and information storage

著者 (5件)： Shao Jiangyang (Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences) ,  Yao Changjiang (Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences) ,  Cui Binbin (Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences) ,  Gong Zhongliang (Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhong Yuwu (Institute of Chemistry, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Chemical Letters  (Chinese Chemical Letters)
巻： 27  号： 8  ページ： 1105-1114  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2564A  ISSN： 1001-8417  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,酸化還元活性ルテニウム錯体の電解重合薄膜の調製と応用に関する著者らの最近の進歩を要約する。ビニル官能化ルテニウムまたはルテニウムアミン共役錯体の薄膜を電解還元重合により調製した。得られた膜は多状態近赤外エレクトロクロミズム,イオン検出,および模倣フリップフロップとフリップ弁フロップ論理ゲートに有用である。二遠位トリアリールアミン単位を持つ二ルテニウム錯体の酸化的電解重合は交互ジルテニウムとテトラフェニルベンジジン構造ユニットを持つ電解重合体が生成した。多状態近赤外エレクトロクロミズムと抵抗メモリにおける得られた膜の応用を議論した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *錯体 ,  *ルテニウム錯体 ,  *近赤外線 ,  電解還元重合 ,  *電解 ,  電解酸化重合 ,  官能化 ,  *エレクトロクロミズム ,  *高分子膜 ,  共役 ,  *酸化還元反応 ,  双安定回路 ,  *電解重合
準シソーラス用語： 抵抗メモリ ,  論理ゲート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電解重合 ,  ルテニウム錯体 ,  エレクトロクロミズム ,  薄膜 ,  分子メモリ

分類 (2件)： 無機化合物の電気分析  (CC05024D) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (9件)： 近赤外 ,  エレクトロクロミズム ,  イオン ,  センシング ,  貯蔵 ,  酸化還元活性 ,  ルテニウム錯体 ,  電解 ,  重合膜