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J-GLOBAL ID：201702279195932739   整理番号：17A0118485

グリア細胞K~+輸送を測定するためのイオン選択電界効果トランジスタの応用【Powered by NICT】

Application of ion-senstitive field effect transistors for measuring glial cell K+ transport

著者 (5件)： Zhu Yihao (Department of Electrical and Computer Engineering, Clemson University, Clemson, SC 29634) ,  Koley Goutam (Department of Electrical and Computer Engineering, Clemson University, Clemson, SC 29634) ,  Walsh Kenneth (Department of Pharmacology, Physiology & Neuroscience, University of South Carolina, School of Medicine, Columbia, SC 29209) ,  Galloway Ashley (Department of Pharmacology, Physiology & Neuroscience, University of South Carolina, School of Medicine, Columbia, SC 29209) ,  Ortinski Pavel (Department of Pharmacology, Physiology & Neuroscience, University of South Carolina, School of Medicine, Columbia, SC 29209)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SENSORS  ページ： 1-3  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は,不死化細胞および初代脳グリア細胞からのK~+流出を測定するためのグラフェン系,イオン感応性電界効果トランジスタ(ISFET)の製作と利用を報告した。現在,初代培養細胞からの細胞膜イオン輸送を測定するための新しい技術の開発が緊急に必要である。K~+感受性ISFETsをK~+イオノホアバリノマイシンを含む高分子膜を有するグラフェン表面を被覆することによって作製した。ドレイン電流対ゲート電圧測定はISFETはK~+ではなく,Na~+及びCa~2+に感受性を示すことを実証した。記録細胞膜イオン輸送のためのISFETを用いることの実現可能性を決定するために,ISFETセンサは初代ラットグリア細胞またはヒトU251-MG神経膠腫細胞のいずれかを含む記録チャンバーに挿入した。ISFETを用いて測定したグリア細胞におけるK~+チャンネルの活性化は細胞外K~+濃度の強い,時間依存性増加をもたらした。プローブの非侵襲的特性に起因して,ISFETは初代細胞培養の将来のマルチアレイ,細胞ベースのスクリーニングと毒性学的研究に有用である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ISFET ,  初代培養 ,  ヒト ,  細胞膜 ,  時間依存性 ,  グラフェン ,  毒物学 ,  神経膠腫 ,  イオン輸送 ,  感受性 ,  *グリア細胞 ,  生体内イオン輸送
準シソーラス用語： チャンバ ,  ゲート電圧 ,  ドレイン電流 ,  初代培養細胞 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (4件)： グリア細胞 ,  輸送 ,  イオン選択電界効果トランジスタ ,  応用