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J-GLOBAL ID：201702279196060321   整理番号：17A0446686

Ni_4/t ZrO_2触媒上でのCOメタン化の機構の密度汎関数理論研究:表面酸素空格子点とヒドロキシル基の役割【Powered by NICT】

Density functional theory study of the mechanism of CO methanation on Ni₄/t-ZrO₂ catalysts: Roles of surface oxygen vacancies and hydroxyl groups

著者 (8件)： Han Xiaoxia (College of Information Engineering, Taiyuan University of Technology, No. 79 Yingze West Street, Taiyuan 030024, China) ,  Yang Jinzhou (Key Laboratory of Coal Science and Technology (Taiyuan University of Technology), Ministry of Education and Shanxi Province, No. 79 Yingze West Street, Taiyuan 030024, China) ,  Han Bingying (Key Laboratory of Coal Science and Technology (Taiyuan University of Technology), Ministry of Education and Shanxi Province, No. 79 Yingze West Street, Taiyuan 030024, China) ,  Sun Wei (Key Laboratory of Coal Science and Technology (Taiyuan University of Technology), Ministry of Education and Shanxi Province, No. 79 Yingze West Street, Taiyuan 030024, China) ,  Zhao Chaofan (College of Information Engineering, Taiyuan University of Technology, No. 79 Yingze West Street, Taiyuan 030024, China) ,  Lu Yanxue (College of Information Engineering, Taiyuan University of Technology, No. 79 Yingze West Street, Taiyuan 030024, China) ,  Li Zhong (Key Laboratory of Coal Science and Technology (Taiyuan University of Technology), Ministry of Education and Shanxi Province, No. 79 Yingze West Street, Taiyuan 030024, China) ,  Ren Jun (Key Laboratory of Coal Science and Technology (Taiyuan University of Technology), Ministry of Education and Shanxi Province, No. 79 Yingze West Street, Taiyuan 030024, China)
資料名： International Journal of Hydrogen Energy  (International Journal of Hydrogen Energy)
巻： 42  号： 1  ページ： 177-192  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0192B  ISSN： 0360-3199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸素空格子点とヒドロキシル基の影響と同様に,Ni_4/t ZrO_2(101)表面上での合成ガスからのメタン合成の機構を密度汎関数理論を用いて系統的に調べた。著者らの結果は,CHO中間体へのCO水素化した完全および欠陥表面に直接CO解離よりも有利であることを示した。Ni_4/t ZrO_2(101),Ni_4/V_O t ZrO_2(101)およびNi_4/Ht ZrO_2(101)表面上のCH_4形成の主な経路は次の通りであった:CO H→CHO H→CH_2O H→CH_3O→CH_3+H→CH_4。Ni_4/t ZrO_2(101),Ni_4/V_O t ZrO_2(101)およびNi_4/Ht ZrO_2(101)表面上のCH_4形成中の最高の障壁エネルギーは258.0%,147.6%および233.6kJ/mol~ 1であった,対応する反応エネルギーは, 77.4;85.1; 84.5kJ/mol~ 1であった。Ni_4/t ZrO_2表面上のヒドロキシル基と酸素空孔したCH_4の形成に有利であり,メタンの選択性は,酸素空格子点のために著しく改善された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 合成ガス ,  *密度汎関数法 ,  活性化エネルギー ,  中間体 ,  触媒 ,  電荷 ,  水素化 ,  *メタン化 ,  *ヒドロキシ基 ,  アルカン
準シソーラス用語： *ヒドロキシル基 ,  理論計算 ,  反応エネルギー ,  *酸素空格子点 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 理論計算 ,  触媒機構 ,  構造-機能相関 ,  活性化エネルギー ,  電荷解析

分類 (2件)： 気体燃料の製造  (YE02030F) ,  その他の触媒  (CB06123Z)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (8件)： 触媒 ,  CO ,  メタン化 ,  密度汎関数理論 ,  研究 ,  酸素空格子点 ,  ヒドロキシル基 ,  役割