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J-GLOBAL ID：201702279288369299   整理番号：17A0214208

16/14nmノードおよびそれ以上における高速・高信頼性埋込みフラッシュのためのFinFET分割ゲートMONOSの初めての実証【Powered by NICT】

First demonstration of FinFET split-gate MONOS for high-speed and highly-reliable embedded flash in 16/14nm-node and beyond

著者 (12件)： Tsuda S. (Renesas Electronics Corporation, Tokyo, Japan) ,  Kawashima Y. (Renesas Electronics Corporation, Tokyo, Japan) ,  Sonoda K. (Renesas Electronics Corporation, Tokyo, Japan) ,  Yoshitomi A. (Renesas Electronics Corporation, Tokyo, Japan) ,  Mihara T. (Renesas Electronics Corporation, Tokyo, Japan) ,  Narumi S. (Renesas Electronics Corporation, Tokyo, Japan) ,  Inoue M. (Renesas Electronics Corporation, Tokyo, Japan) ,  Muranaka S. (Renesas Electronics Corporation, Tokyo, Japan) ,  Maruyama T. (Renesas Electronics Corporation, Tokyo, Japan) ,  Yamashita T. (Renesas Electronics Corporation, Tokyo, Japan) ,  Yamaguchi Y. (Renesas Electronics Corporation, Tokyo, Japan) ,  Hisamoto D. (Hitachi, Ltd., Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 11.1.1-11.1.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FinFETスプリットゲート金属-酸化物-窒化物-酸化物-シリコン(SG MONOS)フラッシュメモリを作製し,操作したた。フィン構造に起因して,優れたサブしきい値特性と小さなしきい値電圧変動を明らかにした。フィン上部コーナー効果はソース側注入のための漸増ステップパルスプログラミングにより抑制されていることを実証した。250Kプログラム/消去サイクル後に150°Cで高度に信頼できるデータ保持は先進的自動車システム応用のための確認された。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化物 ,  窒化物 ,  フラッシュメモリ ,  フィン ,  *高速度
準シソーラス用語： データリテンション ,  閾値電圧 ,  サブ閾値 ,  *スプリットゲート ,  *FinFET ,  *高信頼性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： ノード ,  高信頼性 ,  埋込み ,  フラッシュ ,  FinFET ,  分割ゲート ,  実証