文献

J-GLOBAL ID：201702279327697387   整理番号：17A0538528

PDSOIプロセスにおける単一粒子の過渡パルス幅の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of Single-Event Transient pulse width in PDSOI

著者 (6件)： Wu Chi (Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences) ,  Bi Jinshun (Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences) ,  Li Bo (Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences) ,  Li Binhong (Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences) ,  Luo Jiajun (Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences) ,  Han Zhengsheng (Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences)
資料名： Tai Hezi Kexue Yudianzi Xinxi Xuebao  (Tai Hezi Kexue Yudianzi Xinxi Xuebao)
巻： 14  号： 6  ページ： 977-981  発行年： 2016年 
JST資料番号： C3004A  ISSN： 2095-4980  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 単一粒子過渡パルス幅は電子システムのソフトエラー率を評価する重要なパラメータの一つである。0.13ΜM,部分的絶縁体上のシリコン(PDSOI)プロセスにおけるインバータの鎖に対して,インバータにおける単一粒子過渡パルス幅を解析し,発生した単一粒子過渡パルスの臨界パルス幅と伝搬率が級数シミュレーション結果により,単一粒子の過渡パルス幅の大きさは,ピコ秒から数百ピコ秒の範囲にあり,そして,インバータの級数は,臨界パルス幅および伝送速度に大きな影響を及ぼした。シミュレーション結果は,入力単一粒子の過渡パルス幅が小さいときに,保持時間が入力パルス幅に依存することを示した。この結果は,電気マスキングモデリングとラッチマスキングモデリングの正確さの改善に役立つ。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 絶縁材料 ,  ピコ秒 ,  *パルス幅 ,  *パルス ,  伝送速度 ,  電子装置 ,  臨界 ,  保持時間 ,  シミュレーション ,  絶縁体 ,  *単一粒子
準シソーラス用語： ソフトエラー率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Single-Event Transient ,  pulse width ,  electrical masking ,  latching-window masking

分類 (1件)： 非線形光学  (BD05000T)

タイトルに関連する用語 (5件)： PDSOI ,  プロセス ,  単一粒子 ,  パルス幅 ,  解析