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J-GLOBAL ID：201702279474504708   整理番号：17A0855341

ランタンけい酸塩不動態化中間層を持つ4H-SiC MOSキャパシタの増強された界面および電気特性【Powered by NICT】

Enhanced interfacial and electrical characteristics of 4H-SiC MOS capacitor with lanthanum silicate passivation interlayer

著者 (16件)： Wang Qian (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system & Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Changning Road 865, Shanghai 200050, China) ,  Wang Qian (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Cheng Xinhong (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system & Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Changning Road 865, Shanghai 200050, China) ,  Zheng Li (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system & Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Changning Road 865, Shanghai 200050, China) ,  Zheng Li (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Ye Peiyi (Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA 90095, USA) ,  Li Menglu (Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA 90095, USA) ,  Shen Lingyan (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system & Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Changning Road 865, Shanghai 200050, China) ,  Shen Lingyan (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Li Jingjie (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system & Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Changning Road 865, Shanghai 200050, China) ,  Li Jingjie (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Zhang Dongliang (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system & Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Changning Road 865, Shanghai 200050, China) ,  Zhang Dongliang (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Gu Ziyue (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system & Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Changning Road 865, Shanghai 200050, China) ,  Gu Ziyue (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Yu Yuehui (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-system & Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Changning Road 865, Shanghai 200050, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 410  ページ： 326-331  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiC金属-酸化物-半導体(MOS)キャパシタ作製中に形成される有害な亜酸化物(SiO)界面層がそのデバイス性能を著しく損傷する。本研究では,Al_2O_3ゲート誘電体を有する4H-SiC MOSキャパシタの界面および電気特性を向上させるために導入した超薄ケイ酸ランタン(LaSiO)不動態化層。界面LaSiO_形成を高分解能透過型電子顕微鏡およびX線光電子分光法により調べた。超薄LaSiO_不動態化層を持つ4H-SiC MOSキャパシタは優れた界面及び電気特性,低い漏れ電流密度,高絶縁破壊電場,小さなC-Vヒステリシス,低い界面状態密度と境界トラップ密度を示した。関与する機構はLaSiO_不動態化中間層は効果的にSiO_形成を抑制し,Al_2O_3/4H-SiC界面品質を改善することができることを意味している。技術は,将来の高出力デバイス応用のためのdielectrics/4H SiC界面を改善するための効率的な経路を提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電気特性 ,  *ランタン ,  *コンデンサ ,  *炭化ケイ素 ,  X線光電子分光法 ,  酸化物 ,  *ケイ酸塩 ,  アルミニウム ,  ヒステリシス ,  ゲート絶縁膜 ,  半導体 ,  *不動態化 ,  X線光電子スペクトル ,  *界面 ,  絶縁破壊
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  *中間層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 4H-SiC ,  金属-酸化物-半導体(MOS)コンデンサ ,  けい酸ランタン(LaSiO)不動態化層 ,  界面トラップ密度

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (9件)： ランタン ,  けい酸塩 ,  不動態化 ,  中間層 ,  4H-SiC ,  MOSキャパシタ ,  増強 ,  界面 ,  電気特性