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J-GLOBAL ID：201702279603435127   整理番号：17A0852397

抵抗ランダムアクセスメモリにおけるBNに基づく挿入層によるソフトブレークダウン成形とを産生する優れた持久運動能力の程度の制御【Powered by NICT】

Controlling the Degree of Forming Soft-Breakdown and Producing Superior Endurance Performance by Inserting BN-Based Layers in Resistive Random Access Memory

著者 (12件)： Tsai Tsung-Ming (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Wu Cheng-Hsien (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Chang Kuan-Chang (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Pan Chih-Hung (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Chen Po-Hsun (Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Lin Ni-Ke (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Lin Jiun-Chiu (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Lin Yu-Shuo (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Chen Wen-Chung (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Wu Huaqiang (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Deng Ning (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Qian He (Institute of Microelectronics, Tsinghua University, Beijing, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 4  ページ： 445-448  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本短報において,筆者らはHfO抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)への窒化ホウ素(BN:SiO_2)をドープした二酸化けい素のバッファ層を挿入することにより優れた総合的特性を有する抵抗スイッチングメモリを提案した。X線光電子分光法(XPS)スペクトルはBN:SiO_2層に存在する六方晶窒化ホウ素(h BN)ことを確認した。Pt/BN:SiO_2/HfO/BN:SiO_2/TiN構造は優れたスイッチング耐久性>10~12サイクル)と高い安定性を持つことが観察された。これはスパッタプロセス中に形成されるh-BNフレークにより局在化されて成形プロセス中に発生した酸素イオンに起因すると考えられる。挿入されたBNに基づく層を持つHfO RRAMの抵抗スイッチング挙動を説明する物理モデルを提案している。Copyright 2019 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 窒化ホウ素 ,  フレーク ,  ドーピング ,  X線光電子分光法 ,  *スイッチング ,  二酸化ケイ素 ,  耐久性 ,  バッファ層
準シソーラス用語： 抵抗スイッチング ,  酸素イオン ,  六方晶窒化ホウ素 ,  二層 ,  抵抗スイッチングメモリ ,  *ソフトブレークダウン ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 抵抗ランダムアクセスメモリ ,  BN ,  ソフトブレークダウン ,  運動能力 ,  程度