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J-GLOBAL ID：201702279823589751   整理番号：17A0852600

SRAMセンス増幅器にB TI,PVT変動,および作業負荷の積分影響【Powered by NICT】

Integral Impact of BTI, PVT Variation, and Workload on SRAM Sense Amplifier

著者 (8件)： Agbo Innocent (Computer Engineering Laboratory, Delft University of Technology, Delft, CD, The Netherlands) ,  Taouil Mottaqiallah (Computer Engineering Laboratory, Delft University of Technology, Delft, CD, The Netherlands) ,  Kraak Daniel (Computer Engineering Laboratory, Delft University of Technology, Delft, CD, The Netherlands) ,  Hamdioui Said (Computer Engineering Laboratory, Delft University of Technology, Delft, CD, The Netherlands) ,  Kukner Halil (GLOBALFOUNDRIES, Singapore) ,  Weckx Pieter (IMEC vzw, Leuven, Belgium) ,  Raghavan Praveen (IMEC vzw, Leuven, Belgium) ,  Catthoor Francky (IMEC vzw, Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems  (IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems)
巻： 25  号： 4  ページ： 1444-1454  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0516A  ISSN： 1063-8210  CODEN： ITCOB4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOS技術スケーリングは過去ここ数十年間にわたる直面する厳しい変動と信頼性挑戦。主要な信頼性課題の一つは,バイアス温度不安定性(BTI)である。本論文では,標準ラッチセンス増幅器(SA)の検出遅延に及ぼすBTIの影響,高性能メモリの重要な成分の一つであることを解析した;解析は,プロセス,電圧および温度変動(積分影響の重症度を調べるために)の影響を組み込むことにより,異なる負荷と四技術ノード(すなわち,45 32 22,および16nm)を考慮して行った。結果はロバストなメモリ設計のための考慮にSA分解を入れることの重要性を示した;SA分解は,応用と技術ノードに依存し,センシング遅延は16nmで最悪ケース条件の184.58%と増加させることができる。結果はまた,16nmの公称条件のためのBTI影響は12.10%の遅延増加に達することを示した。に加えて,外因性条件を考慮した場合,分解は16nmに対して398Kで168.45%までに達することができた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ロバスト性 ,  電圧 ,  *SRAM ,  信頼性 ,  温度変動 ,  *センス増幅器 ,  *積分 ,  記憶装置
準シソーラス用語： 重症度 ,  バイアス温度不安定性 ,  CMOS技術 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： SRAM ,  センス増幅器 ,  Ti ,  PVT ,  作業負荷 ,  積分