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J-GLOBAL ID：201702280446440452   整理番号：17A0417545

14nm FinFET CMOSにおける電圧高調波除去ミキサを用いた13.3A SAWレス再構成可能多モード送信機【Powered by NICT】

13.3 A SAW-less reconfigurable multimode transmitter with a voltage-mode harmonic-reject mixer in 14nm FinFET CMOS

著者 (7件)： Bhagavatula Venumadhav (Samsung Semiconductor, San Jose, CA, USA) ,  Kwon Daehyun (Samsung Electronics, Gyeongii-do, Korea) ,  Lee Jaehun (Samsung Electronics, Gyeongii-do, Korea) ,  Bui Quang-Diep (Samsung Electronics, Gyeongii-do, Korea) ,  Choi Jeong-Hyun (Samsung Electronics, Gyeongii-do, Korea) ,  Lu Siuchuang-Ivan (Samsung Semiconductor, San Jose, CA, USA) ,  Son Sangwon (Samsung Semiconductor, San Jose, CA, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISSCC  ページ： 220-221  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： LTEの高線形性要求と2gの低雑音性能を同時に満足するために多モード細胞RFICは高いダイナミックレンジが必要である。Tradditionally,SAWフィルタはより高いBOMのコストで雑音直線性トレードオフを緩和するために採用した。高競争市場では,移動デバイスは>35LTEバンド,今後さらに上昇すると予想され,SAWレス送信機(TX)設計のための強い動機を提供している数を支援する必要がある。単一資源ブロック(RB)モードで動作するLTE TXであるキャリヤから4.5MHz(LTE10)または9MHz(LTE20)の大きさの周波数オフセットでの狭い帯域幅に集中した高いパワースペクトル密度によるスプリアス帯域外(00b)発光に感受性[1]。3~次対相互変調(CIM3)生成物は,隣接する公的安全バンドの低下が最も挑戦的な条件はB13である。アンテナで23dBmでは,B13TXは公衆安全帯におけるdBm/6 0.25kHz 57以下の00B放出を確保しなければならない。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： パワースペクトル密度 ,  ダイナミックレンジ ,  線形性 ,  *多モード ,  雑音特性 ,  雑音 ,  *送信機 ,  帯域幅 ,  相互変調 ,  トレードオフ ,  *CMOS
準シソーラス用語： 周波数オフセット ,  RFIC ,  *高調波除去 ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 光通信方式・機器  (ND10000B) ,  波形,周波数,波長,位相の計測法・機器  (AD07040Y) ,  通信方式一般  (ND07010E)

タイトルに関連する用語 (9件)： FinFET ,  CMOS ,  高調波除去 ,  ミキサ ,  SAW ,  レス ,  再構成可能 ,  多モード ,  送信機