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J-GLOBAL ID：201702280511581499   整理番号：17A0446170

YbドープBi_0 5Na_0 5TiO_3セラミックの高温誘電体と緩和挙動【Powered by NICT】

High-temperature dielectric and relaxation behavior of Yb-doped Bi_0.5Na_0.5TiO₃ ceramics

著者 (9件)： Han Feifei (Key Laboratory of Nonferrous Materials and New Processing Technology, Ministry of Education, College of Materials Science and Engineering, Guangxi Universities Key Laboratory of Non-ferrous Metal Oxide Electronic Functional Materials and Devices, Guilin University of Technology, Guilin 54...) ,  Deng Jianming (Key Laboratory of Nonferrous Materials and New Processing Technology, Ministry of Education, College of Materials Science and Engineering, Guangxi Universities Key Laboratory of Non-ferrous Metal Oxide Electronic Functional Materials and Devices, Guilin University of Technology, Guilin 54...) ,  Liu Xiaoqi (Key Laboratory of Nonferrous Materials and New Processing Technology, Ministry of Education, College of Materials Science and Engineering, Guangxi Universities Key Laboratory of Non-ferrous Metal Oxide Electronic Functional Materials and Devices, Guilin University of Technology, Guilin 54...) ,  Yan Tianxiang (Key Laboratory of Nonferrous Materials and New Processing Technology, Ministry of Education, College of Materials Science and Engineering, Guangxi Universities Key Laboratory of Non-ferrous Metal Oxide Electronic Functional Materials and Devices, Guilin University of Technology, Guilin 54...) ,  Ren Shaokai (Key Laboratory of Nonferrous Materials and New Processing Technology, Ministry of Education, College of Materials Science and Engineering, Guangxi Universities Key Laboratory of Non-ferrous Metal Oxide Electronic Functional Materials and Devices, Guilin University of Technology, Guilin 54...) ,  Ma Xing (Key Laboratory of Nonferrous Materials and New Processing Technology, Ministry of Education, College of Materials Science and Engineering, Guangxi Universities Key Laboratory of Non-ferrous Metal Oxide Electronic Functional Materials and Devices, Guilin University of Technology, Guilin 54...) ,  Liu Saisai (Key Laboratory of Nonferrous Materials and New Processing Technology, Ministry of Education, College of Materials Science and Engineering, Guangxi Universities Key Laboratory of Non-ferrous Metal Oxide Electronic Functional Materials and Devices, Guilin University of Technology, Guilin 54...) ,  Peng Biaolin (School of Physical Science & Technology and Guangxi Key Laboratory for Relativistic Astrophysics, Guangxi University, Nanning 530004, China) ,  Liu Laijun (Key Laboratory of Nonferrous Materials and New Processing Technology, Ministry of Education, College of Materials Science and Engineering, Guangxi Universities Key Laboratory of Non-ferrous Metal Oxide Electronic Functional Materials and Devices, Guilin University of Technology, Guilin 54...)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 7  ページ： 5564-5573  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： YbドープBi_0 5Na_0 5TiO_3(BNT)セラミックの微細構造,相転移及び誘電特性を調べた。イッテルビウムはセラミックスの粒成長と緻密化を促進するTiリッチ不純物はTi空孔を補償することによって現れることが分かった。±15%耐性を持つセラミックの誘電動作温度範囲は,イッテルビウムドーピングにより500°Cまで拡大した。一方,散漫相転移の拡散性はYbドーピングの増加とともに増加した。3mo1%YbをドープしたBNTセラミックスは154~356°Cの147から528°Cの広い温度範囲と低い誘電損失(<0.025)における近プラトー誘電挙動を示し,高温キャパシタへの応用のための有望な材料であることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *チタン ,  誘電損失 ,  *高温 ,  相転移 ,  コンデンサ ,  緻密化 ,  散漫相転移 ,  誘電性 ,  *ドーピング ,  不純物 ,  *イッテルビウム ,  *セラミック
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  動作温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： BNT ,  誘電体 ,  リラクサ

分類 (1件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： Yb ,  ドープ ,  セラミック ,  誘電体 ,  緩和 ,  挙動