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J-GLOBAL ID：201702280534440866   整理番号：17A0062051

ゲート制御横型PNPトランジスタ構造を用いた弗素注入PNPの耐放射線性【Powered by NICT】

Radiation Resistance of Fluorine-Implanted PNP Using Gated-Controlled Lateral PNP Transistor Structure

著者 (9件)： Wang Xin (Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry, Chinese Academy of Sciences) ,  Lu Wu (Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry, Chinese Academy of Sciences) ,  Ma Wuying (Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry, Chinese Academy of Sciences) ,  Guo Qi (Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry, Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Zhikuan (State Key Laboratory of Analog Integrated Circuit) ,  He Chengfa (Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry, Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Mohan (Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry, Chinese Academy of Sciences) ,  Li Xiaolong (Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry, Chinese Academy of Sciences) ,  Jia Jincheng (Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 33  号： 8  ページ： 086101-1-086101-3  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フッ素化あるいは非フッ素化横方向PNPトランジスタの放射線損傷応答は酸化物トラップ電荷(N(OT))と界面トラップ(N(it))密度の抽出を可能にする特別に設計したゲート制御横型PNPトランジスタを用いて研究した。全ての試料は,0.5Gy(Si)/sの線量率を持つCo60γ線に露出している照射後,全線量を使用した試料のないとNitの蓄積はゲート掃引試験法で調べた。結果は,フッ素化横方向PNPトランジスタの耐放射線性である非フッ化物と比較して有意に増強されることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 放射線障害 ,  線量率 ,  フッ化物 ,  酸化物 ,  γ線 ,  *耐放射線性 ,  放射線量 ,  フッ素化 ,  *トランジスタ
準シソーラス用語： 試験方法 ,  界面トラップ ,  捕獲電荷 ,  *ゲート制御 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  放射性廃棄物  (MB05000Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート制御 ,  横型 ,  pnpトランジスタ ,  弗素 ,  注入 ,  耐放射線性