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J-GLOBAL ID：201702280619315395   整理番号：17A0297157

(129)XE(Q+)がN型とP型SI表面を照射したときの電子放出収率の研究【JST・京大機械翻訳】

Secondary Electron Emission from N-type and P-type Si Induced by (129)Xe(q+)

著者 (10件)： Zeng Lixia (Ion beam & Optical Physical joint Laboratory of Xianyang Normal University and Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Xu Zhongfeng (Institute of Science and Technology for Laser and Particle Beams Xi’an Jiaotong University) ,  Zhao Yongtao (Institute of Science and Technology for Laser and Particle Beams Xi’an Jiaotong University) ,  Wu Fan (Institute of Science and Technology for Laser and Particle Beams Xi’an Jiaotong University) ,  Liu Xueliang (Institute of Science and Technology for Laser and Particle Beams Xi’an Jiaotong University) ,  Cheng Rui (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhou Xianming (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Lei Yu (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Shidong (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Yanning (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Yuanzihewuli Pinglun  (Yuanzihewuli Pinglun)
巻： 33  号： 3  ページ： 365-369  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2077A  ISSN： 1007-4627  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 1.8MEV XE(Q+)イオンがそれぞれN型とP型SIの二つのターゲット表面を照射したときの電子放出収率を蘭州重イオン加速器国立実験室で測定した。実験では,入射イオンの電荷状態を変化させることにより,二つのターゲット表面の電子放出収率に対する入射エネルギーの影響を調べた。結果により、同じイオンの入射において、N型SI表面の電子発射収率はP型SI表面の電子発射収率より約12.5%高いことが分かった。同じ入射運動エネルギーを有するXE(Q+)イオンに対して、二種類のターゲット表面の電子発射収率はいずれも入射イオンポテンシャルエネルギーの増加に伴い直線的に増加する。また,3.4MEV XE(Q+)イオンがそれぞれ以上の二つのターゲットを照射したときの電子放出収率を測定し,類似の結果を得た。本論文では、仕事関数を用いて、運動エネルギー電子放出とポテンシャルエネルギー電子放出の二つの角度から実験結果について分析した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ポテンシャルエネルギー ,  重イオン ,  加速器 ,  運動エネルギー ,  イオン ,  仕事関数 ,  *電子放出
準シソーラス用語： 入射エネルギー ,  荷電状態 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： highly charged ions ,  electron emission yield ,  threshold velocity ,  work function

分類 (1件)： Auger電子放出,二次電子放出  (BM09040O)

タイトルに関連する用語 (5件)： Xe ,  P型Si ,  電子放出 ,  収率 ,  研究