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J-GLOBAL ID：201702280775719860   整理番号：17A0469841

低エネルギー(120 eV)ヘリウムの電流マッピングと導電性原子間力顕微鏡による水素照射されたタングステン【Powered by NICT】

Current mapping of low-energy (120 eV) helium and hydrogen irradiated tungsten by conductive atomic force microscopy

著者 (8件)： Fan Hongyu (School of Physics and Materials Engineering, Dalian Nationalities University, Dalian, People’s Republic of China) ,  Endo Takashi (Nano-micro Materials Analysis Laboratory, Hokkaido University, Sapporo, Japan) ,  Bi Zhenghua (School of Physics and Materials Engineering, Dalian Nationalities University, Dalian, People’s Republic of China) ,  Yan Weibin (School of Physics and Materials Engineering, Dalian Nationalities University, Dalian, People’s Republic of China) ,  Ohnuki Somei (Nano-micro Materials Analysis Laboratory, Hokkaido University, Sapporo, Japan) ,  Yang Qi (School of Physics and Materials Engineering, Dalian Nationalities University, Dalian, People’s Republic of China) ,  Ni Weiyuan (School of Physics and Materials Engineering, Dalian Nationalities University, Dalian, People’s Republic of China) ,  Liu Dongping (School of Physics and Materials Engineering, Dalian Nationalities University, Dalian, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Nuclear Materials  (Journal of Nuclear Materials)
巻： 486  ページ： 191-196  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0148A  ISSN： 0022-3115  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 導電性原子間力顕微鏡(CAFM)と透過電子顕微鏡法の両方は,低エネルギー(120 eV)HおよびHe照射したタングステン(W)中の欠陥又はHe気泡を特性化した。比較研究により,CAFMから電流マッピングである低エネルギーHとHe照射中のナノメータサイズの欠陥の検出に非常に敏感であることを見いだした。著者らの計算は,HおよびHe照射したW中の抵抗変化を原子間力顕微鏡チップとdefects/He気泡間の距離に強く影響されることを確認した。CAFMはW表面層におけるdefects/He気泡を正確に検出できるが,深層(>20 nm)を測定し,特に表面層中の欠陥の存在に起因する実行不可能である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *原子間力顕微鏡 ,  *水素 ,  気泡 ,  表層 ,  *タングステン ,  キャラクタリゼーション ,  *電流 ,  深層 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *ヘリウム
準シソーラス用語： 抵抗変化 ,  *導電性原子間力顕微鏡 ,  *低エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 核融合装置  (BJ02083Z)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低エネルギー ,  EV ,  ヘリウム ,  マッピング ,  導電性原子間力顕微鏡 ,  水素 ,  タングステン