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J-GLOBAL ID：201702281559592226   整理番号：17A0222643

Ti/マグネタイト/SiO_x/Siヘテロ構造における多重状態抵抗スイッチングの起源

Origin of multistate resistive switching in Ti/manganite/SiO_x/Si heterostructures

著者 (5件)： Roman Acevedo W. (Gerencia de Investigacion y Aplicaciones, CNEA, Av. Gral Paz 1499, San Martin, 1650 Buenos Aires, Argentina) ,  Acha C. (Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas (CONICET), Godoy Cruz 2290, 1425 Buenos Aires, Argentina) ,  Sanchez M. J. (Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas (CONICET), Godoy Cruz 2290, 1425 Buenos Aires, Argentina) ,  Levy P. (Gerencia de Investigacion y Aplicaciones, CNEA, Av. Gral Paz 1499, San Martin, 1650 Buenos Aires, Argentina) ,  Rubi D. (Gerencia de Investigacion y Aplicaciones, CNEA, Av. Gral Paz 1499, San Martin, 1650 Buenos Aires, Argentina)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 5  ページ： 053501-053501-5  発行年： 2017年01月30日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： MIS構造 ,  *記憶装置 ,  *スイッチング ,  *電気抵抗 ,  磁化反転
準シソーラス用語： 金属-絶縁体-半導体構造 ,  *抵抗スイッチングメモリ

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ti ,  マグネタイト ,  Si ,  ヘテロ構造 ,  多重 ,  抵抗スイッチング ,  起源