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J-GLOBAL ID：201702281607822760   整理番号：17A0502582

SnO/Sn/グラフェンガスセンサーの二酸化窒素(NO₂)感受性の真空アニーリングおよび紫外(UV)オゾン暴露に対する依存性

Dependence of the Nitrogen Dioxide (NO₂) Sensitivity of SnO_x-Sn/Graphene Gas Sensors on Vacuum Annealing and Ultraviolet (UV) Ozone Exposure

著者 (3件)： MU Haichuan (East China Univ. Sci. and Technol., Shanghai, CHN) ,  WANG Keke (East China Univ. Sci. and Technol., Shanghai, CHN) ,  XIE Haifen (East China Univ. Sci. and Technol., Shanghai, CHN)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 2  ページ： 1480-1486  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホルムアルデヒド(HCHO),二酸化窒素(NOT),エタノールなどの有害ガスを検出する優れた半導体ガスセンサ材料として,酸化亜鉛(ZnO)や二酸化スズ(SnO₂)などの代表的な金属酸化物半導体が広く知られている。本報告では,SnO_x-Sn化合物NO₂ガスセンサを,官能化されていないCVDおよび0₃官能化されたCVD成長グラフェン膜上に,熱蒸発によって作製した。SnO/Sn/グラフェン膜の感度,結合状態,および表面モルフォロジーに対する,熱蒸発に先立った,裸のグラフェン膜の真空アニールと0₃官能化の影響を検討した。高感度のNO₂ガスセンサを得るために,化学気相成長(CVD)成長グラフェン上にO₃曝露,有り/なしで,SnO_x-Sn化合物膜を熱蒸着により堆積した。Snは完全に酸化されておらず,SnO_x-Sn(Sn0₂,SnO,およびSn)を含む)の化合物膜の存在が実証された。TheSnO_x-Sn/グラフェンセンサーは,SnO_x-Sn化合物膜表面上のNO₂と酸素吸着物との間の重大な反応のために,元のグラフェン(オゾン処理グラフェンを含む)と比較して優れた感度を示した。真空アニール時間の増加に伴い,裸のグラフェン膜上の初期の吸着物の脱離が促進されたため,SnO_x-Snナノ粒子のグラフェン被覆率が増加した。

シソーラス用語： *ガスセンサ ,  二酸化窒素 ,  *感受性 ,  *酸化亜鉛 ,  *オゾン処理 ,  モルフォロジー ,  *表面構造 ,  グラフェン ,  表面形態 ,  *構造
準シソーラス用語： 表面モルフォロジー

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  熱処理技術  (WC03020T)

タイトルに関連する用語 (9件)： Sn ,  二酸化窒素 ,  NO2 ,  感受性 ,  真空 ,  アニーリング ,  オゾン ,  暴露 ,  依存性