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J-GLOBAL ID：201702281635012609   整理番号：17A0524728

金属-絶縁体-半導体構造の深準位分光法

Deep-level spectroscopy in metal-insulator-semiconductor structures

著者 (4件)： KURTZ A (Universidad Politecnica de Madrid, Madrid, ESP) ,  MUNOZ E (Universidad Politecnica de Madrid, Madrid, ESP) ,  CHAUVEAU J M (Univ. Cote d’Azur, Valbonne Sophia Antipolis, FRA) ,  HIERRO A (Universidad Politecnica de Madrid, Madrid, ESP)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 50  号： 6  ページ： 065104,1-9  発行年： 2017年02月15日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-絶縁体-半導体(MIS)構造のバルクトラップを深準位過渡分光法(DLTS)を用いて測定する方法を示した。まず,この方法を可能にする理論モデルを開発した。次に,非ドープZnO及びGaドープZnO上に作製したMIS素子を用いて,この理論モデルを検証した。バンドギャップ照明下の低周波容量電圧特性から絶縁層の存在を評価し,DLTSとFourierDLTS測定を行った。非ドープ試料では三つの固有欠陥準位が観測され,そのうちの一つ(E3)は高ドープ試料でも観測された。E3は両試料で同じ捕獲エネルギー,濃度,捕獲断面積を示した。

シソーラス用語： *MIS構造 ,  *深準位過渡分光法 ,  酸化亜鉛 ,  深い準位 ,  *欠陥準位 ,  容量電圧特性 ,  過渡現象 ,  絶縁膜 ,  温度依存性
準シソーラス用語： 絶縁層

分類 (1件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 金属-絶縁体-半導体構造 ,  深準位 ,  分光法