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J-GLOBAL ID：201702281962993637   整理番号：17A0666067

タングステンドープInZnO薄膜トランジスタのデバイス性能に及ぼす活性層厚さの影響【Powered by NICT】

Effect of Active Layer Thickness on Device Performance of Tungsten-Doped InZnO Thin-Film Transistor

著者 (5件)： Park Hyun-Woo (Division of Physics and Semiconductor Science, Dongguk University, Seoul, South Korea) ,  Park Kyung (Yonsei Institute of Convergence Technology, Yonsei University, Incheon, South Korea) ,  Kwon Jang-Yeon (Yonsei Institute of Convergence Technology, Yonsei University, Incheon, South Korea) ,  Choi Dukhyun (Department of Mechanical Engineering, School of Engineering, Kyung Hee University, Yongin, South Korea) ,  Chung Kwun-Bum (Division of Physics and Semiconductor Science, Dongguk University, Seoul, South Korea)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 1  ページ： 159-163  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： タングステン( 4at.%)をドープしたInZnO薄膜トランジスタをRFスパッタリングシステムを用いて活性層の厚さの関数として作製した。活性層の厚さの変化に関連したデバイス性能の劣化を説明するために,深さ方向に沿ってデバイス性能と物理的性質,膜密度,表面/界面粗さ,伝導バンド下のバンドエッジ状態,屈折率,および組成を含むの間の相関を調べた。活性層厚さ10nmのタングステンドープインジウム-酸化亜鉛(WIZO)TFTは19.57cm_2cm2/Vsの最高電界効果移動度と0.62Vの最低しきい値電圧シフトを示した。デバイス性能の向上は,最も高い膜密度とSiO_2 WIZOの平坦な界面粗さと強く相関している。添加では,伝導帯の下界面層厚さとバンドエッジ状態は,活性層の厚さの増加と共に変化した。界面層の厚さとバンド端状態でこれらの顕著な変化がデバイス性能の変化と相関した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 伝導バンド ,  *ドーピング ,  *薄膜トランジスタ ,  RFスパッタリング ,  屈折率 ,  *活性層 ,  酸化亜鉛 ,  *タングステン
準シソーラス用語： 界面層 ,  閾値電圧シフト ,  電界効果移動度 ,  バンド端 ,  界面粗さ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： タングステン ,  ドープ ,  トランジスタ ,  活性層 ,  厚さ