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J-GLOBAL ID：201702282288087204   整理番号：17A0021080

メモリインタフェイスのための高分解能とデューティサイクル補正器をもつ耐放射線性DLL【Powered by NICT】

A radiation-tolerant DLL with fine resolution and duty cycle corrector for memory interface

著者 (5件)： Feng Yulang (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Houston, Houston, TX 77004) ,  Fan Qingjun (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Houston, Houston, TX 77004) ,  Tang Yuxuan (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Houston, Houston, TX 77004) ,  Zuo Zhiheng (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Houston, Houston, TX 77004) ,  Chen Jinghong (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Houston, Houston, TX 77004)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： DCAS  ページ： 1-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： DDR2メモリインタフェイスのための耐放射線性遅延同期ループ(DLL)を紹介した。DLLはマルチプレクサベースディジタル制御遅延線(DCDL)を用いた粗同調ループによるクロック位相と位相補間器(PI)を用いて微調整ループを調整する。シングルイベント効果(SEE)から敏感なノードを保護するために,気泡補正と3重モジュール冗長性(TMR)技術を用いた温度計符号化を採用した。さらに,耐放射線特性をもつデューティサイクル補正(DCC)を開発した。0.13μm CMOS技術で設計し,DLLは51.5psの位相分解能と10%~90%入力デューティサイクル補正範囲を達成した。1.5V供給電圧下で15mWの電力を消費する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電力 ,  冗長性 ,  同調 ,  *補正装置 ,  クロック ,  *分解能 ,  ディジタル制御 ,  位相 ,  *耐放射線性 ,  遅延線 ,  *高分解能 ,  *放射線 ,  内挿法 ,  CMOS
準シソーラス用語： *デューティサイクル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： パターン認識  (JE07000S) ,  記憶方式  (JC02040V)

タイトルに関連する用語 (6件)： メモリインタフェイス ,  高分解能 ,  デューティサイクル ,  補正器 ,  耐放射線性 ,  DLL