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J-GLOBAL ID:201702282539654795   整理番号:17A0747163

冷間焼結プロセスセラミックパッケージングとマイクロ波デバイス開発のための新しい時代【Powered by NICT】

Cold sintering process: A new era for ceramic packaging and microwave device development
著者 (5件):
資料名:
巻: 100  号:ページ: 669-677  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0253A  ISSN: 0002-7820  CODEN: JACTAW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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冷間焼結プロセス(CSP)を非平衡溶解-沈殿プロセスによるち密化を支援するための過渡溶媒として水性溶液を用いた非常に低温焼結プロセス(室温~200°C)である。本研究では,CSPはマイクロ波と包装誘電体基板,セラミック(バルクモノリス基質と多層膜)とセラミック-高分子複合材料を作製するために導入した。Li_2MoO_4,Na_2Mo_2O_7,K_2Mo_2O_7,(LiBi)0.5MoO_4セラミックスであり,そしてまた(1 x)Li_2MoO_4 xPTFEと(1 x)(LiBi)0.5MoO_4 xPTFE複合材料,いくつかの誘電材料は,マイクロ波と実装基板応用におけるCSPの可能性を実証するために選んだ。高密度(88% 95%)と良好なマイクロ波誘電特性(誘電率,5.6 37.1;Q×f,1700 30500GHz)を有する選択された誘電体セラミックスと複合材料を120°CでCSPにより得られた。CSPは,新しい共焼成セラミック技術,すなわちCSCCを開発し潜在的に用いることができる。Li_2MoO_4Ag多層共焼成セラミック構造は明らかな剥離,反り,または相互拡散なしで作製することに成功した。異なる誘電特性を有する多くの材料がCSPによりち密化し,CSPはセラミックパッケージングとマイクロ波デバイス開発における簡単で効率的な省エネルギー戦略を提供することを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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セラミック・陶磁器の製造  ,  セラミック・磁器の性質 
タイトルに関連する用語 (5件):
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