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J-GLOBAL ID：201702282785336922   整理番号：17A0370158

低Se圧力で電着したCu/Sn/Zn前駆体と3段階セレン化プロセスを用いて作製した8.2%の電力変換効率を有するCZTSe太陽電池【Powered by NICT】

A CZTSe solar cell with 8.2% power conversion efficiency fabricated using electrodeposited Cu/Sn/Zn precursor and a three-step selenization process at low Se pressure

著者 (12件)： Yao Liyong (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin film Devices and Technology, Nankai University, 300071 Tianjin, PR China) ,  Ao Jianping (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin film Devices and Technology, Nankai University, 300071 Tianjin, PR China) ,  Jeng Ming-Jer (Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, 259, WenHwa 1st Road, KweiShan, Taoyuan, Taiwan) ,  Jeng Ming-Jer (Department of Otolaryngology-Head and Neck Surgery, Chang Gung Memorial Hospital, Taoyuan, Taiwan) ,  Bi Jinlian (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin film Devices and Technology, Nankai University, 300071 Tianjin, PR China) ,  Gao Shoushuai (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin film Devices and Technology, Nankai University, 300071 Tianjin, PR China) ,  Sun Guozhong (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin film Devices and Technology, Nankai University, 300071 Tianjin, PR China) ,  He Qing (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin film Devices and Technology, Nankai University, 300071 Tianjin, PR China) ,  Zhou Zhiqiang (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin film Devices and Technology, Nankai University, 300071 Tianjin, PR China) ,  Sun Yun (Institute of Photoelectronic Thin Film Devices and Technology and Tianjin Key Laboratory of Thin film Devices and Technology, Nankai University, 300071 Tianjin, PR China) ,  Chang Liann-Be (Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, 259, WenHwa 1st Road, KweiShan, Taoyuan, Taiwan) ,  Chang Liann-Be (Department of Otolaryngology-Head and Neck Surgery, Chang Gung Memorial Hospital, Taoyuan, Taiwan)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 159  ページ： 318-324  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu_2ZnSnSe_4(CZTSe)薄膜を調製する際に,高Se圧力でセレン化が厚い二セレン化モリブデン(MoSe_2)層を形成する可能性がある。過剰に厚いMoSe_2層はCZTSe太陽電池の性能を低下させる。低Se圧力の下でのアニーリングはそのような厚いMoSe_2層の形成を防ぐことが示唆されている。しかし,低Se圧力または高温でCZTSe薄膜からのSn金属の潜在的損失は膜の組成と相を制御する新たな困難を提起する。注意深く高品質CZTSe薄膜を得るためにこれらのセレン化パラメータを制御することが重要である。本研究では,Snの損失および低Se圧力でCZTSe薄膜における二セレン化モリブデンの形成を調べた。低Se圧力で三段階セレン化は高品質CZTSe薄膜を作製するための電着Cu/Sn/Zn前駆体で行った。第一段階では,500°Cの基板温度で急速熱アニーリングおよび低Se蒸気圧4.6PaのSnの損失とMoSe_2層の厚さを低減するために,過小Cuと過剰Zn膜を得るために実施した。第二段階では,570°Cの高いアニーリング温度と高圧での不活性ガスを使用して,元素の拡散を改善し,元素分布の均一性を増加させることであった。第三段階では,500°Cの基板温度で熱アニーリングおよび低Se蒸気圧4.6PaのSnの損失とMoSe_2層の厚さを低減し,CZTS膜の表面上にSnSe(アニーリングの第二段階で形成された)の不純物相を除去した。低Se圧力でこの三段階セレン化を用いた場合,Snの損失とCZTSe薄膜における二セレン化モリブデンの生成は無視できた。セレン化パラメータを適切に制御すると,8.2%の効率でCZTSe太陽電池を得ることができた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *太陽電池 ,  焼なまし ,  *電着 ,  基板温度 ,  高温 ,  RTA【熱処理】 ,  *セレン ,  不活性ガス ,  *スズ ,  不純物 ,  蒸気圧
準シソーラス用語： *CZTS ,  熱アニーリング ,  二層 ,  *電力変換効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Cu_2ZnSnSe_4(CZTSe)薄膜 ,  モリブデン二セレン化(MoSe_2) ,  3段階セレン化 ,  Snの損失 ,  低Se蒸気圧

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (12件)： Se ,  電着 ,  Cu ,  Sn ,  Zn ,  前駆体 ,  段階 ,  セレン化 ,  プロセス ,  作製 ,  電力変換効率 ,  太陽電池