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J-GLOBAL ID：201702282804161770   整理番号：17A0196266

C_Nクラスタの注入によるグラフェンの調製の研究進展を紹介した。【JST・京大機械翻訳】

Research Progress in Graphene Synthesis by C_n Cluster Ion Implantation

著者 (3件)： Wang Zesong (School of Physics and Technology, Wuhan University) ,  Li Hui (School of Physics and Technology, Wuhan University) ,  Fu Dejun (School of Physics and Technology, Wuhan University)
資料名： Zhongguo Biaomian Gongcheng  (Zhongguo Biaomian Gongcheng)
巻： 29  号： 5  ページ： 1-15  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2759A  ISSN： 1007-9289  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： グラフェンは炭素原子で構成される単層二次元結晶であり,高周波数エレクトロニクスと光電子デバイスの分野で広く応用されており,厚さが制御可能な大面積グラフェンの調製は大規模応用の前提である。本論文では,既存のグラフェンの製造技術の利点と欠点を紹介した上で,近年のイオン注入遷移金属金属の研究成果を紹介した。研究により;低エネルギーTan団クラスタC_N注入によるグラフェンの調製において,イオンエネルギー,注入量,クラスタサイズ,基板材料特性およびアニーリング条件は,グラフェンの物理的性質に影響を及ぼす重要な因子であった。クラスタイオン注入は基板表面に照射された照射損傷に非線形効果があり、正確な制御量のC_Nクラスタが母材に注入され、主に制御可能な炭素源を提供する作用があり、高品質グラフェンの合成には多晶基の熱処理を行い、粒界密度を減少させる必要がある。同時に、微細な後続熱処理技術を採用し、炭素原子が基板表面の横方向拡散と偏析を制御し、グラフェン核形成の重要な条件を満たす。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *グラフェン ,  核形成 ,  HF【周波数】 ,  結晶粒界 ,  生産技術 ,  炭素 ,  非線形効果 ,  電子技術 ,  焼なまし ,  イオン注入 ,  *クラスタ ,  偏析
準シソーラス用語： 基板材料 ,  低エネルギー ,  大面積 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： C_n cluster ,  graphene ,  Raman spectroscopy ,  thermal treatment ,  diffusion ,  segregation

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： クラスタ ,  注入 ,  グラフェン ,  調製 ,  研究 ,  進展