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J-GLOBAL ID：201702282825869940   整理番号：17A0204755

原子結晶不揮発性貯蔵【JST・京大機械翻訳】

Non-volatile memory based on atomic crystals

著者 (3件)： Liu Chunsen (State Key Laboratory of ASIC and System, Department of Microelectronics, Fudan University) ,  Zhou Peng (State Key Laboratory of ASIC and System, Department of Microelectronics, Fudan University) ,  Zhang Wei (State Key Laboratory of ASIC and System, Department of Microelectronics, Fudan University)
資料名： Zhongguo Kexue. Wulixue, Lixue, Tianwenxue  (Zhongguo Kexue. Wulixue, Lixue, Tianwenxue)
巻： 46  号： 10  ページ： 107308-1-107308-19  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2586A  ISSN： 1674-7275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 多機能低消費電力チップにおけるストレージ、計算と通信機能の各モジュールの占有面積、データ交換速度などの要素はすでに集積回路の発展のボトルネック問題になっている。それは,大規模データ伝送のための将来のシステムアーキテクチャにおける高密度の高性能記憶技術のために,超低速度,高次元のサイズ,高速書き込み,および不揮発性特性を必要とする。将来の貯蔵技術には、新しい原理デバイスを用いて、例えば電子移動やイオン移動の代わりに電子輸送を代替し、新しい材料を用いて熱量の発生を低減し、新型の三次元積層技術を用いて密度を向上させる。本論文では、新しい材料、特に二次元原子結晶の不揮発性貯蔵技術における応用に焦点を合わせる。高電子移動度,限界超薄溝道,および超低界を有する二次元原子結晶の新しい材料は,0.6~1.2NMの厚さを持ち,豊富なバンド構造が将来の貯蔵技術のための優れた解決策を提供する。これらの結果は,デバイスの集積性を改善し,安定性を向上させ,応用シナリオを拡大し,新しいメモリを開発するために巨大な潜在力を持ち,現在のメモリ消費電力と集積度を解決するための新しい方法であることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *非揮発性 ,  高次元 ,  記憶装置 ,  二次元 ,  高速度 ,  電子移動 ,  消費電力 ,  三次元 ,  低速度
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  電子輸送 ,  高密度 ,  データ伝送 ,  データ交換 ,  多機能 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： atomic crystals ,  two-dimensional materials ,  non-volatile memory ,  Flash memory ,  resistive random access memory

分類 (1件)： 集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (4件)： 原子 ,  結晶 ,  不揮発性 ,  貯蔵