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J-GLOBAL ID：201702282845898194   整理番号：17A0643442

フレキシブルデバイス応用に向けたInGaZnO金属半導体電界効果トランジスタ(MES-FET)の低温形成

著者 (5件)： 橋本慎輔 (高知工科大) ,  曲勇作 (高知工科大) ,  浜田賢一朗 (高知工科大) ,  古田守 (高知工科大) ,  古田守 (高知工大 総研)
資料名： 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集
巻： 2016  ページ： 125  発行年： 2016年07月31日 
JST資料番号： L5917A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化インジウム ,  装置 ,  焼なまし ,  キャリア密度 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛
準シソーラス用語： IGZO【半導体】 ,  アニール ,  キャリア濃度 ,  フレキシブルデバイス ,  *電界効果トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： フレキシブルデバイス ,  応用 ,  金属半導体電界効果トランジスタ ,  MES ,  FET ,  低温形成