文献
J-GLOBAL ID：201702282929392277   整理番号：17A0206017

スタネンにおける自明な絶縁相転移へのトポロジー【Powered by NICT】

Topological to trivial insulating phase transition in stanene
  • 出版者サイト 複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=17A0206017&COPY=1") }}
  • 高度な検索・分析はJDreamⅢで
著者 (4件)：
Houssa Michel

Houssa Michel について

(Department of Physics and Astronomy, University of Leuven)

Department of Physics and Astronomy, University of Leuven について

, 
Broek Bas Van Den

Broek Bas Van Den について

(Department of Physics and Astronomy, University of Leuven)

Department of Physics and Astronomy, University of Leuven について

, 
Iordanidou Konstantina

Iordanidou Konstantina について

(Department of Physics and Astronomy, University of Leuven)

Department of Physics and Astronomy, University of Leuven について

, 
Lu Anh Khoa Augustin

Lu Anh Khoa Augustin について

(Department of Physics and Astronomy, University of Leuven)

Department of Physics and Astronomy, University of Leuven について


資料名：
Nami Yanjiu  (Nami Yanjiu)

Nami Yanjiu について


巻： 9  号： 3  ページ： 774-778  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2652A  ISSN： 1998-0124  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
スタネン,グラフェンのSnの電子特性を,第一原理シミュレーションを用いて理論的に調べた。面外電場または量子閉じ込め効果により誘起されたトポロジー的に自明な絶縁相転移を予測した。結果は,ゲート電圧制御された無散逸スピンデバイスにおけるスタネンナノリボンを使用する可能性を強調し,このようなデバイスのための最小ナノリボン幅,典型的には約5nmを設定するために使用した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
*位相幾何学

位相幾何学 について

, 
シミュレーション

シミュレーション について

, 
グラフェン

グラフェン について

, 
量子閉込め

量子閉込め について

, 
スズ

スズ について

, 
*相転移

相転移 について

, 
第一原理

第一原理 について

, 
ナノリボン

ナノリボン について


準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
ゲート電圧

ゲート電圧 について

, 【Automatic Indexing@JST】
著者キーワード (4件)：
2次元(2D)材料

2次元(2D)材料 について

, 
トポロジカル絶縁体

トポロジカル絶縁体 について

, 
密度汎関数理論(DFT)シミュレーション

密度汎関数理論(DFT)シミュレーション について

, 
電子構造

電子構造 について

分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

,  半導体結晶の電子構造 
(BM02060N)

半導体結晶の電子構造 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
スタネン

スタネン について

, 
絶縁

絶縁 について

, 
相転移

相転移 について

, 
トポロジー

トポロジー について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM