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J-GLOBAL ID：201702283017286821   整理番号：17A0755547

ハイブリッド量子ナノ構造のI型へのII型変換【Powered by NICT】

Type-I to Type-II Transformation of Hybrid Quantum Nanostructures

著者 (6件)： Chen Hsuan-An (Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Lin Wei-Hsun (Research Center for Applied Sciences, Academia Sinica, Taipei, Taiwan) ,  Chang Chiao-Yun (Research Center for Applied Sciences, Academia Sinica, Taipei, Taiwan) ,  Chang Shu-Wei (Research Center for Applied Sciences, Academia Sinica, Taipei, Taiwan) ,  Shih Min-Hsiung (Research Center for Applied Sciences, Academia Sinica, Taipei, Taiwan) ,  Lin Shih-Yen (Research Center for Applied Sciences, Academia Sinica, Taipei, Taiwan)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 23  号： 5  ページ： ROMBUNNO.1900407.1-7  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAsスペーサ層で分離されたI型InAs量子ドット(QD)とII型GaSb量子リング(QR)のハイブリッドナノ構造を本論文で実験的に実証した。GaAsスペーサ層の厚さが減少すると,ドット密度が減少ドット高さとともに増加し,より小さなInAs QDはGaSb QRsのリム上とに沿って成長する傾向があることを示した。2nmの薄いGaAsスペーサを用いて,室温でのハイブリッドナノ構造の光ルミネセンスを1.4μmまで赤方偏移で,室温で明るいのままである。この現象は二ナノ構造は近傍としてGaSb QRs中のInAs QDと正孔中の電子は高い量子効率と放射再結合することを示唆した。より長いキャリア寿命も電子と正孔を保つ離れたハイブリッドナノ構造から観測された,これらのハイブリッドナノ構造における第二種遷移の性質を確認した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 正孔 ,  ヒ化インジウム ,  量子効率 ,  アンチモン化ガリウム ,  光ルミネセンス ,  ヒ化ガリウム ,  赤方偏移 ,  スペーサ ,  キャリア寿命 ,  *ナノ構造
準シソーラス用語： 放射再結合 ,  量子リング ,  InAs量子ドット ,  *量子ナノ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (1件)： 量子ナノ構造