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J-GLOBAL ID：201702283051626032   整理番号：17A0407917

光触媒H_2生成のための(AgIn)xZn_2(1 x)S_2量子ドット光増感剤のバンドギャップ工学【Powered by NICT】

Bandgap engineering of (AgIn)xZn_2(1-x)S₂ quantum dot photosensitizers for photocatalytic H₂ generation

著者 (10件)： Yuan Yong-Jun (College of Materials and Environmental Engineering, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310018, People’s Republic of China) ,  Chen Da-Qin (College of Materials and Environmental Engineering, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310018, People’s Republic of China) ,  Xiong Mian (College of Materials and Environmental Engineering, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310018, People’s Republic of China) ,  Zhong Jia-Song (College of Materials and Environmental Engineering, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310018, People’s Republic of China) ,  Wan Zhong-Yi (College of Materials and Environmental Engineering, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310018, People’s Republic of China) ,  Zhou Yang (College of Materials and Environmental Engineering, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310018, People’s Republic of China) ,  Liu Shen (College of Materials and Environmental Engineering, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310018, People’s Republic of China) ,  Yu Zhen-Tao (National Laboratory of Solid State Microstructures and Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Jiangsu Key Laboratory for Nano Technology, College of Engineering and Applied Science, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Yang Ling-Xia (National Laboratory of Solid State Microstructures and Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Jiangsu Key Laboratory for Nano Technology, College of Engineering and Applied Science, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China) ,  Zou Zhi-Gang (National Laboratory of Solid State Microstructures and Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Jiangsu Key Laboratory for Nano Technology, College of Engineering and Applied Science, Nanjing University, Nanjing 210093, People’s Republic of China)
資料名： Applied Catalysis. B: Environmental  (Applied Catalysis. B: Environmental)
巻： 204  ページ： 58-66  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0375A  ISSN： 0926-3373  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体量子ドットは,太陽水素発生の開発に対して非常に興味ある光増感剤である。しかし,Cdの毒性重金属を用いて調製した最も効率的な量子ドットは,可視および近赤外領域での高い毒性と貧弱な吸収により制限された。バンドギャップ同調可能な量子ドットを提供し,犠牲試薬として分子状コバルト触媒とアスコルビン酸と組み合わせた三成分系における太陽H_2生成のための低毒性の高効率量子ドット光増感剤の開発につながる(AgIn)xZn_2(1 x)S.2の有効組成調節を達成した。(AgIn)xZn_2(1 x)S.2量子ドットの組成は連続的に他の片末端で0(ZnS)から1(AgInS_2),対応するバンドギャップ3.55eVから1.80eVに徐々に変調されをもたらした。(AgIn)xZn_2(1 x)S.2量子ドットの光触媒性能に及ぼすバンドギャップの効果を調べた結果,光吸収能力の間のバランスと(AgIn)0.5ZnS_2量子ドットにおけるバンドギャップにより決定駆動力は可視光駆動H_2発生の最高の効率をもたらすことを示した。450nmでの単色光照射下で8.2%の高い見かけ量子収率は,この光触媒系で得られた。この効率はCdを含まない量子ドットに基づく太陽H_2発電システムのための現時点での最良の性能である。はこのバンドギャップ調整可能な(AgIn)xZn_2(1 x)S.2量子ドットは高効率太陽H_2生成のための一般的に使用されるCdと分子染料を置き換えるために耐久性が高く毒性の低い光増感剤として大きな可能性を持つであろうと信じられている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 量子収量 ,  *光増感剤 ,  三成分系 ,  カドミウム ,  硫化亜鉛 ,  *バンドギャップ ,  可視光 ,  太陽 ,  *光触媒 ,  触媒活性 ,  *量子ドット ,  耐久性 ,  光吸収 ,  ラクトン ,  水溶性ビタミン ,  第二アルコール ,  ポリオール
準シソーラス用語： 高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 量子ドット ,  バンドギャップ工学 ,  人工光触媒 ,  水素生産 ,  太陽エネルギー変換

分類 (2件)： 光化学反応  (CB08020F) ,  光化学一般  (CB08010U)

物質索引 (1件)： アスコルビン酸

タイトルに関連する用語 (5件)： 光触媒 ,  量子ドット ,  光増感剤 ,  バンドギャップ ,  工学