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J-GLOBAL ID:201702283067532881   整理番号:17A0258814

3C-SICの電子構造と磁気的第一原理計算【JST・京大機械翻訳】

First-principles Calculation of Electronic Structures and Magnetic Properties in 3C-SiC
著者 (7件):
資料名:
巻: 44  号: 11  ページ: 1668-1673  発行年: 2016年 
JST資料番号: W1454A  ISSN: 0454-5648  CODEN: KSYHA5  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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密度汎関数理論に基づく第一原理平面波擬ポテンシャル法を用いて、SI空孔、単一AL、ALとSI空孔共ドープ3C-SICの電子構造と磁性を計算した。結果は以下を示す。本3C-SICは磁性を持たず,単一のALドーピングはその磁気的改良にも影響しないが,SI空孔の導入によりスピン分極が生じる。A1とSI空孔の共ドーピング3C-SICの構造では,SI空孔近傍のC原子のスピンアップとスピンダウンの状態図は明らかに非対称であり,主にSI空孔近傍のC-2P軌道のスピン分極によるものであった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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その他の無機化合物の磁性  ,  半導体結晶の電子構造 
タイトルに関連する用語 (3件):
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