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J-GLOBAL ID：201702283177310500   整理番号：17A0442422

ハイブリッド界面へのシリコンナノワイヤの電解研磨と不動態化【Powered by NICT】

Electropolishing and passivation of silicon nanowires towards hybrid interfaces

著者 (3件)： Haenisch J. (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Institut fuer Silizium-Photovoltaik, Kekulestrasse 5, 12489 Berlin Germany) ,  Klimm C. (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Institut fuer Silizium-Photovoltaik, Kekulestrasse 5, 12489 Berlin Germany) ,  Rappich J. (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Institut fuer Silizium-Photovoltaik, Kekulestrasse 5, 12489 Berlin Germany)
資料名： Electrochimica Acta  (Electrochimica Acta)
巻： 226  ページ： 46-52  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0535B  ISSN： 0013-4686  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属支援化学エッチングにより調製したナノワイヤ構造化されたシリコン(Si)表面上の表面欠陥はバンドギャップ中のトラップ状態を生成し,これにより将来のデバイスの効率を最小化した。Si表面の電解研磨処理は減少した表面欠陥密度をもたらす。Siのバンド間光ルミネセンス(PL)は表面欠陥密度の変化に対して非常に敏感なので,電解研磨処理をその場PL測定により監視した。電解研磨実験中のPL強度の著しい増大が得られたが,これにより,削減された表面トラップ状態に相関していた。メチル化によるSiC結合によるSiH結合のその後の電気化学的交換は表面の低い欠陥密度を保持し,天然のシリコン酸化物層の形成を抑制した。追加のPL測定は,環境大気中のSiナノワイヤのメチル不動態化表面の長期安定性を証明した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光ルミネセンス ,  バンドギャップ ,  *ナノワイヤ ,  *ケイ素 ,  *電解研磨 ,  炭化ケイ素 ,  構造形成 ,  欠陥密度 ,  *不動態化 ,  電気化学 ,  表面欠陥 ,  *界面
準シソーラス用語： 長期安定性 ,  化学エッチング ,  *シリコンナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Siナノワイヤ ,  金属支援エッチング ,  電解研磨 ,  光ルミネセンス ,  表面欠陥密度 ,  暗電流過渡現象

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  電極過程  (CB07040U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 界面 ,  シリコンナノワイヤ ,  電解研磨 ,  不動態化