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J-GLOBAL ID：201702283271735678   整理番号：17A0417466

WCDMA/LTE応用のための0.153μmバルクCMOSによる2.5A高効率マルチバンドF級電力増幅器【Powered by NICT】

2.5 A high-efficiency multiband Class-F power amplifier in 0.153μm bulk CMOS for WCDMA/LTE applications

著者 (9件)： Ko Jenwei (MediaTek, Austin, TX, United States of America) ,  Guo Xiaochuan (MediaTek, Austin, TX, United States of America) ,  Cao Changhua (MediaTek, Austin, TX, United States of America) ,  Rajapandian Saravanan (MediaTek, Austin, TX, United States of America) ,  Peng Solti (MediaTek, Austin, TX, United States of America) ,  Li Jing (MediaTek, Austin, TX, United States of America) ,  Lee Wenchang (MediaTek, Austin, TX, United States of America) ,  Baskaran Narayanan (MediaTek, Austin, TX, United States of America) ,  Wang Caiyi (MediaTek, Austin, TX, United States of America)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISSCC  ページ： 40-41  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： LTEスマートフォンの急速な成長は,低コストと高効率を持つマルチバンド電力増幅器(PA)のための要求が高まっている。[1-6]に発表されたCMOS WCDMA/LTE PAの中で最も高いPAEを有する低コスト0.153μm(85%の収縮0.18μm)バルクCMOSプロセスで製作したマルチバンドWCDMA/LTE PAについて述べた。注目すべきことに,PAはP_satでP_satとPAEを最大化し,線形性を改善することをF級出力整合ネットワーク(MN)を実装した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 線形性 ,  *広帯域CDMA ,  ネットワーク ,  *電力増幅器 ,  スマートフォン ,  高速度 ,  *CMOS
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  *F級増幅器 ,  *マルチバンド ,  *高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (8件)： WCDMA ,  LTE ,  応用 ,  バルク ,  CMOS ,  高効率 ,  マルチバンド ,  F級電力増幅器