構造,0.66[Pb(In_0 50Nb_0)O_3] 0.34[PbTiO_3]の誘電及び強誘電特性に及ぼすAサイトSr~2+置換の影響【Powered by NICT】

Divya A.S.; Juairiya P.; Anil A.; Vani K.; Kumar V.

文献

J-GLOBAL ID：201702283316126893 整理番号：17A0366171

構造,0.66[Pb(In_0 50Nb_0)O_3] 0.34[PbTiO_3]の誘電及び強誘電特性に及ぼすAサイトSr~2+置換の影響【Powered by NICT】

Influence of A-site Sr²⁺ substitution on structure, dielectric and ferroelectric characteristics of 0.66[Pb(In_0.50Nb_0.50)O₃]-0.34[PbTiO₃]

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=17A0366171&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=17A0366171&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0705A") }}

著者 (5件)：

Divya A.S.

Divya A.S. について

名寄せID(JGPN) 201750000377032141 ですべてを検索
「Divya A.S.」ですべてを検索

(Centre for Materials for Electronics Technology, Department of Electronics and Information Technology (DeitY), Ministry of Communications and Information Technology, Govt. of India, Thrissur 680581 Kerala, India)

Centre for Materials for Electronics Technology, Department of Electronics and Information Technology (DeitY), Ministry of Communications and Information Technology, Govt. of India, Thrissur 680581 Kerala, India について

名寄せID(JGON) 201751000116498660 ですべてを検索
「Centre for Materials for Electronics Technology, Department of Electronics and Information Technology (DeitY), Ministry of Communications and Information Technology, Govt. of India, Thrissur 680581 Kerala, India」ですべてを検索

Juairiya P.

Juairiya P. について

名寄せID(JGPN) 201750000378714246 ですべてを検索
「Juairiya P.」ですべてを検索

名寄せID(JGON) 201751000116498660 ですべてを検索
「Centre for Materials for Electronics Technology, Department of Electronics and Information Technology (DeitY), Ministry of Communications and Information Technology, Govt. of India, Thrissur 680581 Kerala, India」ですべてを検索

Anil A.

Anil A. について

名寄せID(JGPN) 201750000377049362 ですべてを検索
「Anil A.」ですべてを検索

名寄せID(JGON) 201751000116498660 ですべてを検索
「Centre for Materials for Electronics Technology, Department of Electronics and Information Technology (DeitY), Ministry of Communications and Information Technology, Govt. of India, Thrissur 680581 Kerala, India」ですべてを検索

Vani K.

Vani K. について

名寄せID(JGPN) 201750000377914845 ですべてを検索
「Vani K.」ですべてを検索

名寄せID(JGON) 201751000116498660 ですべてを検索
「Centre for Materials for Electronics Technology, Department of Electronics and Information Technology (DeitY), Ministry of Communications and Information Technology, Govt. of India, Thrissur 680581 Kerala, India」ですべてを検索

Kumar V.

Kumar V. について

名寄せID(JGPN) 201750000371410560 ですべてを検索
「Kumar V.」ですべてを検索

名寄せID(JGON) 201751000116498660 ですべてを検索
「Centre for Materials for Electronics Technology, Department of Electronics and Information Technology (DeitY), Ministry of Communications and Information Technology, Govt. of India, Thrissur 680581 Kerala, India」ですべてを検索

資料名：

Ceramics International (Ceramics International)

Ceramics International について

JST資料番号 H0705A ですべてを検索
ISSN,ISBN,CODENですべてを検索
資料情報を見る

巻： 43 号： 1 PA ページ： 825-829 発行年： 2017年
JST資料番号： H0705A ISSN： 0272-8842 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

抄録/ポイント：

抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

強誘電組成0.66[(Pb(In_0 0.50Nb_0 0.50)O_3] 0.34PbTiO_3では,リラクサ状態へのクロスオーバは,Aサイト等原子価Sr~2+置換中に観察された。閾値濃度ストロンチウムの地上,典型的なリラクサ挙動が観察された。誘電,強誘電,圧電およびRamanスペクトル研究は,強誘電体リラクサへのクロスオーバが格子収縮に起因する圧力に誘起されたことが明らかになった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語：

シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

圧電気

圧電気について

「圧電気」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

*誘電性

誘電性について

「誘電性」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

Ramanスペクトル

Ramanスペクトルについて

「Ramanスペクトル」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

原子価

原子価について

「原子価」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

強誘電体

強誘電体について

「強誘電体」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

*強誘電性

強誘電性について

「強誘電性」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

ストロンチウム

ストロンチウムについて

「ストロンチウム」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

リラクサ

リラクサについて

「リラクサ」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

準シソーラス用語：

クロスオーバー

クロスオーバーについて

「クロスオーバー」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

, 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)：

A.ゾル-ゲル過程

A.ゾル-ゲル過程について

「A.ゾル-ゲル過程」ですべてを検索

C.誘電特性

C.誘電特性について

「C.誘電特性」ですべてを検索

C.強誘電特性

C.強誘電特性について

「C.強誘電特性」ですべてを検索

D複合ペロブスカイト

D複合ペロブスカイトについて

「D複合ペロブスカイト」ですべてを検索

分類 (2件)：

分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです

強誘電体,反強誘電体,強弾性

(BM05030B)

強誘電体,反強誘電体,強弾性について

分類コード BM05030B で文献を検索
分類コード4桁 BM05 で文献を検索

, セラミック・磁器の性質

(YC03030G)

セラミック・磁器の性質について

分類コード YC03030G で文献を検索
分類コード4桁 YC03 で文献を検索

タイトルに関連する用語 (3件)：

タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

Pb について

「Pb」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

強誘電特性

強誘電特性について

「強誘電特性」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

置換

置換について

「置換」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

前のページに戻る