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J-GLOBAL ID：201702283368389753   整理番号：17A0701038

高性能溶液処理電界効果トランジスタのための広く適用可能なN-ドーピング戦略の系統的研究【Powered by NICT】

Systematic Study of Widely Applicable N-Doping Strategy for High-Performance Solution-Processed Field-Effect Transistors

著者 (8件)： Kim Jihong (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), 123 Cheomdangwagi-ro, Buk-gu, Gwangju, 61005, Republic of Korea) ,  Khim Dongyoon (Department of Physics, Imperial College London, South Kensington Campus, London, SW7 2AZ, UK) ,  Baeg Kang-Jun (Department of Graphic Arts Information Engineering, Pukyong National University, 365 Shinseon-ro, Nam-gu, Busan, 48547, Republic of Korea) ,  Park Won-Tae (Department of Energy and Materials Engineering, Dongguk University, 30 Pildong-ro 1-gil, Jung-gu, Seoul, 04620, Republic of Korea) ,  Lee Seung-Hoon (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), 123 Cheomdangwagi-ro, Buk-gu, Gwangju, 61005, Republic of Korea) ,  Kang Minji (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), 123 Cheomdangwagi-ro, Buk-gu, Gwangju, 61005, Republic of Korea) ,  Noh Yong-Young (Department of Energy and Materials Engineering, Dongguk University, 30 Pildong-ro 1-gil, Jung-gu, Seoul, 04620, Republic of Korea) ,  Kim Dong-Yu (School of Materials Science and Engineering, Gwangju Institute of Science and Technology (GIST), 123 Cheomdangwagi-ro, Buk-gu, Gwangju, 61005, Republic of Korea)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 26  号： 43  ページ： 7886-7894  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フレキシブルおよび/またはプリンテッドエレクトロニクスの素子性能を改善するために活性な半導体材料の溶液処理ドーピングのための特定の設計は強力な戦略である。テトラブチルアンモニウムフルオリドとテトラブチルアンモニウムヒドロキシドはLewis塩基アニオン,F~ と・OH~-,それぞれ,n型有機とナノカーボンベース半導体,π共役ポリマによるポリ[[N,N′-ビス(2-オクチルドデシル)-ナフタレン-1,4,5,8-ビス(ジカルボキシミド)-2,6-ジイル]-alt-5,5′-(2,2′-ビチオフェン)](P(NDI2OD-T2))と選択的に分散した半導性単層カーボンナノチューブなどの両方において効率的で費用対効果に優れたn-ドーピング過程のための有機ドーパントとして考えられるを含んでいた。電界効果トランジスタにおける電子輸送特性の劇的な向上は半導体と同様に制御可能な開始としきい値電圧,変換可能な電荷輸送極性,及び周囲空気とバイアスストレス条件下で優れた素子安定性を示す同時ドーパントからの効率的な電子移動によって確認された。この単純な溶液処理化学ドーピング法は,有機半導体とナノカーボンベース材料における内因性および外因性電荷輸送特性の理解を促進することができ,このようにして高性能有機および印刷エレクトロニクスとオプトエレクトロニクスデバイスを開発するために広く適用できる。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドーパント ,  *FET【トランジスタ】 ,  半導性 ,  半導体材料 ,  有機半導体 ,  アニオン ,  電子技術 ,  単層カーボンナノチューブ ,  半導体 ,  電子移動
準シソーラス用語： ナノカーボン ,  化学ドーピング ,  電荷輸送 ,  輸送特性 ,  *溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 共役重合体 ,  n-ドーピング ,  有機電界効果トランジスタ ,  半導性単層カーボンナノチューブ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高性能 ,  溶液処理 ,  電界効果トランジスタ ,  ドーピング ,  戦略 ,  系統 ,  研究