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J-GLOBAL ID：201702283575253391   整理番号：17A0758075

電源応用のための650V AllGaNTMパワーIC【Powered by NICT】

650 V AllGaNTM power IC for power supply applications

著者 (3件)： Giandalia Marco (Navitas Semiconductors, El Segundo, California, USA) ,  Zhang Jason (Navitas Semiconductors, El Segundo, California, USA) ,  Ribarich Tom (Navitas Semiconductors, El Segundo, California, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： WiPDA  ページ： 220-222  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 市場に現れる最初の高電圧窒化ガリウム(GaN)スイッチは空乏モードH EMT(dMode FET)技術に基づいた。は負のしきい値またはカスコード構成の低電圧FETを管理するための複雑なゲート駆動回路を必要とする。GaNスイッチの直接制御と高価なマルチチップ実装の必要性の欠如は,オフライン応用[1]GaN電力段の採用が遅れていた。今日,ドライバと論理を用いたエンハンスメントモードGaNH EMT(eMode FET)のモノリシック集積化は,運転性能に大きな利益を提供し,伝搬遅延を低減し,ターンオフ速度を増加させ,スイッチング損失を低減できる,より小さな磁気とコンデンサを用いた。AllGaNTMpower集積回路プラットフォームはSMPSスイッチング頻度を増加させる一桁,CrCM PFCとLLCのようなソフトスイッチングまたは共振トポロジーにおける革新的なアーキテクチャを可能にする,システム効率と電力密度を改善した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 位相幾何学 ,  スイッチング損失 ,  電力 ,  スイッチング ,  窒化ガリウム ,  ソフトスイッチング ,  ゲート回路 ,  コンデンサ ,  *スイッチ ,  共振 ,  ターンオフ ,  マルチチップ実装 ,  集積回路
準シソーラス用語： 電力密度 ,  低電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 応用 ,  パワーIC