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J-GLOBAL ID：201702283600036086   整理番号：17A0214277

異常熱安定性をドープしたGa Sb Geを用いた128Mb相変化メモリチップの信頼性研究【Powered by NICT】

Reliability study of a 128Mb phase change memory chip implemented with doped Ga-Sb-Ge with extraordinary thermal stability

著者 (11件)： Chien W. C. (Macronix International Co., Ltd., Emerging Central Lab., Hsinchu, Taiwan) ,  Cheng H. Y. (Macronix International Co., Ltd., Emerging Central Lab., Hsinchu, Taiwan) ,  BrightSky M. (IBM T.J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Road, Yorktown Heights, NY, 10598, USA) ,  Ray A. (IBM T.J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Road, Yorktown Heights, NY, 10598, USA) ,  Yeh C. W. (Macronix International Co., Ltd., Emerging Central Lab., Hsinchu, Taiwan) ,  Kim W. (IBM T.J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Road, Yorktown Heights, NY, 10598, USA) ,  Bruce R. (IBM T.J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Road, Yorktown Heights, NY, 10598, USA) ,  Zhu Y. (IBM T.J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Road, Yorktown Heights, NY, 10598, USA) ,  Ho H. Y. (Macronix International Co., Ltd., Product Design and Engineering Center, Hsinchu, Taiwan) ,  Lung H. L. (Macronix International Co., Ltd., Emerging Central Lab., Hsinchu, Taiwan) ,  Lam C. (IBM T.J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Road, Yorktown Heights, NY, 10598, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 21.1.1-21.1.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドープGa Sb Geは良好な熱安定性と高速スイッチング速度を示した。本研究では,修飾したドープしたGa Sb Ge材料を用いた128Mbチップ上のサイクリング耐久性と熱安定性の間の関係のための包括的信頼性研究の結果を提示した。チップは>100Kサイクル良好なサイクル耐久性を示した,がはんだ付け試験後の故障ビットではなかった。さらに,チップは1000秒間260°Cベーキング後100Kサイクルの問題を示さなかった。データ保持の点では,PCMは100K前サイクル後に1K前サイクル後に215°C,10K前サイクル後に210°Cおよび205°Cで10年間のデータを保持できることを推定した。PCMが高い熱安定性とサイクル耐久性を必要とする応用に適している。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 高速度 ,  故障 ,  *ドーピング ,  耐久性 ,  *信頼性 ,  はんだ付 ,  *熱安定性
準シソーラス用語： データリテンション ,  スイッチング速度 ,  *相変化メモリ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 熱安定性 ,  ドープ ,  Ga ,  Sb ,  Ge ,  相変化メモリ ,  研究