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J-GLOBAL ID：201702283623586921   整理番号：17A0171578

IGBTキャリア増強技術の発展について概説した。【JST・京大機械翻訳】

Development Overview of Carrier Enhancement Technology for IGBT

著者 (8件)： Shen Qianxing (Jiangsu R&D Center for Internet of Things) ,  Zhang Xukun (Jiangsu R&D Center for Internet of Things) ,  Zhang Guangyin (University of Chinese Academy of Sciences,Key Laboratory of Si Devices Technologies, Institute of Microdectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Yang Fei (University of Chinese Academy of Sciences,Key Laboratory of Si Devices Technologies, Institute of Microdectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Tan Ji (University of Chinese Academy of Sciences,Key Laboratory of Si Devices Technologies, Institute of Microdectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Tian Xiaoli (University of Chinese Academy of Sciences,Key Laboratory of Si Devices Technologies, Institute of Microdectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Lu Shuojin (Jiangsu R&D Center for Internet of Things,Key Laboratory of Si Devices Technologies, Institute of Microdectronics, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhu Yangjun (Jiangsu R&D Center for Internet of Things)
資料名： Bandaoti Jishu  (Bandaoti Jishu)
巻： 41  号： 10  ページ： 751-758,778  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2378A  ISSN： 1003-353X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： バイポーラトランジスタ(IGBT)デバイスのための特別な技術的手段として,エミッタ極性強化技術は,IGBTの漏れ速度と圧力損失を減少させるためのキーポイントである。20年以上の発展を経て,発光キャリア濃度増強の技術は,構造と性能から大きく向上した。IGBTのキャリア増強技術の発展過程について概説し、IGBT中のキャリア分布に対して、キャリア増強技術の物理的メカニズムを分析し、従来のキャリア増強技術に採用されたデバイス構造と実現方法を紹介し、注入増強型絶縁ゲートトランジスタ(IEGT)を含む。キャリア構造は,溝(バイポーラ),高導電率IGBT(HI GT),平面強化構造IGBT,および近年の新しい誘電障壁層IGBT,局所的メサメサ,P型埋め込み層などである。各デバイスの構造特性と性能の改善について議論した。キャリア増強技術は,新世代のIGBTデバイスの設計のための主要な技術的手段である。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気伝導率 ,  極性 ,  *IGBT ,  圧力損失 ,  素子構造 ,  *キャリア ,  発光 ,  バイポーラトランジスタ ,  構造特性 ,  キャリア密度
準シソーラス用語： 埋込み層 ,  バリア層 ,  IEGT ,  キャリア分布 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： insulated gate bipolar transistor (IGBT) ,  carrier ,  enhancement technology ,  hole accumulation ,  on-state voltage

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： IGBT ,  キャリア ,  増強 ,  発展