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J-GLOBAL ID:201702283785356945   整理番号:17A0144083

レイアウト依存性ループ振動のためのロバストなGaNH EMTユニットセル構造をもつ26GHz帯LXXVIII W Doherty電力増幅器【Powered by NICT】

A 2.6-GHz-band 78-W Doherty power amplifier with GaN HEMT unit-cell structure robust for layout-dependent loop oscillation
著者 (9件):
資料名:
巻: 2016  号: EuMC  ページ: 1441-1444  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,多指GaNH EMTのユニークな単位セル構造を提案した。360μm×10単位ゲート幅細胞構造は細胞内レイアウト依存性ループ発振のためのロバストであり,高利得,高出力電力の両方を供給するに適している。小信号測定は,提案したセルは従来のセルよりも2dB高い最大利用可能利得を示すことが分かった。提案したセルに基づくパッケージGaNH EMTは2.6GHzで17.6dBの電力利得,53.4dBmの出力電力,および66.5%ドレイン効率を示した。著者の知識の及ぶ限りで,利得は同じ出力範囲と同一周波数帯でこれまで報告された単段GaNH EMT増幅器の中で最高である。二個のパッケージ型GaNH EMTを用いて作製した,Doherty電力増幅器(DPA)は14.9dB高い電力利得,51.4%ドレイン効率, 48.9dBm(78 W)平均出力パワーで 50.3dBc ACLRを達成した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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増幅回路  ,  トランジスタ 

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