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J-GLOBAL ID：201702283852151725   整理番号：17A0214219

InGaAs MOSFETの性能とその応用InGaAs負性容量FETへのLa_2O_3/InGaAs MOS界面の影響【Powered by NICT】

Impact of La₂O₃/InGaAs MOS interface on InGaAs MOSFET performance and its application to InGaAs negative capacitance FET

著者 (6件)： Chang C.-Y. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Endo K. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Kato K. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Yokoyama C. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Takenaka M. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Takagi S. (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 12.5.1-12.5.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaAs MOSFETと物理的起源の性能に及ぼすLa_2O_3/InGaAs MOS界面の影響を系統的に調べた。La_2O_3/InGaAs MOSFETはより低いS.S.と低いキャリア捕獲特性を示すことが判明し,より高い固定酸化物電荷密度のためAl_2O_3/InGaAs MOSFETよりも低い移動度を有していた。,300°Cよりも低い熱予算でA LD La_2O_3膜はW/La_2O_3/InGaAs MOSとW/La_2O_3/W MIM構造における強誘電性を持つことを初めて実験的に見出された。負の静電容量(NC)効果に起因する急傾斜地特性はW/La_2O_3(15nm)/InGaAs MOSFETで初めて実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化物 ,  静電容量 ,  *MOSFET ,  *界面 ,  移動度 ,  キャリア捕獲 ,  強誘電性 ,  *ヒ化ガリウムインジウム
準シソーラス用語： 電荷密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaAs ,  MOSFET ,  応用 ,  負性容量 ,  FET ,  MOS ,  界面