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J-GLOBAL ID：201702283935653491   整理番号：17A0289855

7-nm e-ビームレジスト感度特性

7-nm e-beam resist sensitivity characterization

著者 (10件)： ZWEBER Amy (GLOBALFOUNDRIES Corp., VT, USA) ,  TODA Yusuke (Toppan Photomasks, Inc., VT, USA) ,  SAKAMOTO Yoshifumi (Toppan Printing Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  FAURE Thomas (GLOBALFOUNDRIES Corp., VT, USA) ,  RANKIN Jed (GLOBALFOUNDRIES Corp., VT, USA) ,  NASH Steven (GLOBALFOUNDRIES Corp., VT, USA) ,  KAGAWA Masayuki (Toppan Photomasks, Inc., VT, USA) ,  FAHRENKOPF Michael (GLOBALFOUNDRIES Corp., VT, USA) ,  ISOGAWA Takeshi (Toppan Photomasks, Inc., VT, USA) ,  WISTROM Richard (GLOBALFOUNDRIES Corp., VT, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9985  ページ： 99851J.1-99851J.12  発行年： 2016年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リソグラフィーに合う低感度のe-ビームレジスト材は,ラインエッジ粗さ(LER)を小さくできるが,インパクトライトツールのスループットに問題がある。この論文では,7-nm論理ノード用の低感度レジスト材の均一性の臨界大きさ(CDU),分解能,フォギング,イメージ配置,書き込み時間の結果と傾向を報告する。実験では,厚さが120~125nmで正トーンまたは負トーンのレジスト材を用い,50%近接効果補正での感度が20μC/cm²から130μC/cm²までの材料で評価した。その結果,低感度レジスト材は,LER,CDU,分解能では優れた特性を示し,フォギングでは影響はなかった。しかし,スループットとイメージ配置に関しては劣っていた。これらのことから,リソグラフィ装置と製造の両分野において,レジスト材の感度はうまく選択する必要があることが明らかとなった。

シソーラス用語： *電子ビーム ,  *レジスト ,  *感度 ,  *リソグラフィー ,  長さ ,  分解能 ,  補正
準シソーラス用語： 臨界寸法 ,  近接効果補正

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： ビーム ,  レジスト ,  感度特性