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J-GLOBAL ID:201702283979295260   整理番号:17A0473149

高H_2選択的センサのためのCo_3O_4/SnO_2ヘテロ接合におけるポテンシャル障壁高さの調節【Powered by NICT】

Modulation of potential barrier heights in Co3O4/SnO2 heterojunctions for highly H2-selective sensors
著者 (10件):
資料名:
巻: 244  ページ: 694-700  発行年: 2017年 
JST資料番号: T0967A  ISSN: 0925-4005  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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p-nヘテロ構造を採用した化学抵抗ガスセンサは,界面での相乗効果のため,高感度で特異的な選択性の説得力のある組み合わせを提供する。本研究では,種々のモル比のCo/Snのp Co_3O_4/n SnO_2複合材料を単純な浸漬焼成法を用いて作製し,それらのセンシング特性を系統的に調べた。センサはp型センシング応答を持つ専用H_2センシング特性,およびCO,H_2SとNH_3のような典型的な還元ガスに対する応答n型センシングを実証した。異常な検出挙動はp Co_3O_4/n SnO_2ヘテロ接合,すなわちSnO_2とCo_3O_4の不斉ガスセンシング反応性から還元ガスへの変調で形成されたポテンシャル障壁高さの変調と関連する可能性があることを提案した。p-nヘテロ接合におけるポテンシャル障壁高さの調節を介してガスセンサの検出選択性を調整するための一般的な方法を開く可能性がある。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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