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J-GLOBAL ID:201702284135894833   整理番号:17A0109151

二次元MOS_2/MOSE_2ヘテロ構造の電子構造と熱電特性を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Electronic Structures and Thermoelectric Properties of Two-Dimensional MoS_2/MoSe_2 Heterostructures
著者 (4件):
資料名:
巻: 29  号:ページ: 445-452  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2010A  ISSN: 1674-0068  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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密度汎関数理論とボルツマン輸送理論を用いて,バルクと二重層MOS2/MOSE2ヘテロ接合材料の熱電特性を計算した。計算結果により、バルクMOS_2/MOSE_2ヘテロ材料の熱電性質はMOSE2より大幅に向上することが分かった。このヘテロ材料の熱電特性の向上は、主にヘテロ材料自体のバンドギャップの減少及び層間のFANDERWER相互作用によるものである。二次元MOS_2/MOSE_2ヘテロ材料は熱電応用の可能性がある。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (6件):
分類
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塩  ,  分子の電子構造  ,  その他の無機化合物の電気伝導  ,  無機化合物一般及び元素  ,  半導体結晶の電子構造  ,  分子化合物 
タイトルに関連する用語 (4件):
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