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J-GLOBAL ID：201702284224925416   整理番号：17A0275731

GaNベース450kHz3相Vienna型PFCの入力電流歪みを低減するための補償方式【Powered by NICT】

A compensation scheme to reduce input current distortion in a GaN based 450 kHz three-phase Vienna type PFC

著者 (6件)： Liu Bo (Center for Ultra-wide-area Resilient Electric Energy Transmission Networks (CURENT), Department of Electrical Engineering and Computer Science, The University of Tennessee, Knoxville, TN 37996-2250, USA) ,  Ren Ren (Center for Ultra-wide-area Resilient Electric Energy Transmission Networks (CURENT), Department of Electrical Engineering and Computer Science, The University of Tennessee, Knoxville, TN 37996-2250, USA) ,  Jones Edward (Center for Ultra-wide-area Resilient Electric Energy Transmission Networks (CURENT), Department of Electrical Engineering and Computer Science, The University of Tennessee, Knoxville, TN 37996-2250, USA) ,  Wang Fred (Center for Ultra-wide-area Resilient Electric Energy Transmission Networks (CURENT), Department of Electrical Engineering and Computer Science, The University of Tennessee, Knoxville, TN 37996-2250, USA) ,  Costinett Daniel (Center for Ultra-wide-area Resilient Electric Energy Transmission Networks (CURENT), Department of Electrical Engineering and Computer Science, The University of Tennessee, Knoxville, TN 37996-2250, USA) ,  Zhang Zheyu (Center for Ultra-wide-area Resilient Electric Energy Transmission Networks (CURENT), Department of Electrical Engineering and Computer Science, The University of Tennessee, Knoxville, TN 37996-2250, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ECCE  ページ： 1-7  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低損失と高スイッチング能力のために広バンドギャップ(WBG)半導体,高パワー密度高効率応用に採用されている徐々に,ハードウェア設計への制御からの新しい挑戦を課した。本論文では,窒化ガリウム(GaN)HEMTとSiCダイオードに基づくVienna型整流器は高密度充電器システムのための力率補正段階として提案した。低電流高調波要求を満たすために,主高調波寄与因子であることを見出し,ターンオフ遷移中のPWM電圧歪を研究した。WBGデバイスの種々の寄生容量によって導かれた歪機構を提示した。その後それらの非線形電圧依存特性を考慮した提案し,最終的に一般的な変調補正へのパルスベースターンオフ補償から推定される緩和方式。450kHzエンハンスメントモードGaNベースVienna型整流器によるシミュレーションと実験結果を最終的に提案手法の高い性能を示し,比較的低速制御による7%までTHD減少を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ターンオフ ,  バンドギャップ ,  ハードウェア設計 ,  整流器 ,  HEMT ,  漂遊容量 ,  充電装置 ,  高調波 ,  炭化ケイ素 ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： エンハンスメントモード ,  力率補正 ,  高効率 ,  電力密度 ,  *入力電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  PFC ,  入力電流 ,  歪み ,  補償