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J-GLOBAL ID：201702284248536444   整理番号：17A0214368

HfO_2/a Si_3N_4/SiGe,a HfO_2/SiO_0 8N_0 8/SiGeおよびHfO_2/a SiO/SiGe界面の密度汎関数理論シミュレーションと実験的測定【Powered by NICT】

Density functional theory simulations and experimental measurements of a-HfO₂/a-Si₃N₄/SiGe, a-HfO₂/SiO_0.8N_0.8/SiGe and a-HfO₂/a-SiO/SiGe interfaces

著者 (5件)： Chagarov E. (University of California, San Diego, La Jolla, CA, 92093 USA) ,  Sardashti K. (University of California, San Diego, La Jolla, CA, 92093 USA) ,  Edmonds M. (University of California, San Diego, La Jolla, CA, 92093 USA) ,  Clemons M. (University of California, San Diego, La Jolla, CA, 92093 USA) ,  Kummel A. (University of California, San Diego, La Jolla, CA, 92093 USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 36.4.1-36.4.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論(DFT)分子動力学(MD)シミュレーションの包括的セットは,それらの電気的不動態化特性を決定するためにいくつかの非晶質化学量論的および亜化学量論SiOxNy中間層(a SiO_0 8N_0~a SiO_0 4N_0,a Si_3N_2,a Si_3N_4とa-)を持つHfO_2高K酸化物とSi_0 5Ge_0(001)の間の界面を示した。一般的にそれらはGe-O,Ge-N結合の生成を最小化し,低い内部結合歪を持つため,亜化学量論的中間層は優れた電気的特性を示した。全ダングリングボンド形成を避けるために酸素欠乏a-SiO中間層を有するスタックは優れた電気的性質を示した。実験的研究は,亜化学量論SiON層はHfO_2(001)/Si_0 5Ge_0(001)MOSCAPの欠陥密度を減少させることを確認した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ダングリングボンド ,  不動態化 ,  欠陥密度 ,  *密度汎関数法 ,  酸素欠乏 ,  非晶質 ,  *シミュレーション ,  化学量論 ,  電気的性質 ,  分子動力学 ,  *界面 ,  酸化チッ化ケイ素 ,  不足当量法 ,  中間層 ,  改変
準シソーラス用語： 実験研究 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiGe ,  SiO ,  界面 ,  密度汎関数理論 ,  シミュレーション ,  実験