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J-GLOBAL ID：201702284393797862   整理番号：17A0157217

イオン照射GAASの光ルミネセンスとラマン散乱研究【JST・京大機械翻訳】

Study on photoluminescence and Raman scattering in GaAs by ion irradiation

著者 (7件)： Yang Di (School of Nuclear Science and Technology, Lanzhou University) ,  Sun Mengli (School of Nuclear Science and Technology, Lanzhou University) ,  Yuan Wei (School of Nuclear Science and Technology, Lanzhou University) ,  Du Xin (School of Nuclear Science and Technology, Lanzhou University) ,  Peng Haibo (School of Nuclear Science and Technology, Lanzhou University) ,  Wang Tieshan (School of Nuclear Science and Technology, Lanzhou University) ,  Guo Hongxia (Northwest Institute of Nuclear Technology)
資料名： He Jishu  (He Jishu)
巻： 39  号： 10  ページ： 100201-1-100201-7  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2034A  ISSN： 0253-3219  CODEN： NUTEDL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 250KEV陽子と4.5MEVクリプトンイオン(KR(17+))を用いて,未ドープGAASを照射した。フルエンスは1×10(12)-3×10(14)CM(-2)と3×10(11)-3×10(14)CM(-2)であり,光ルミネセンススペクトルとRAMAN散乱スペクトルによって特性評価した。発光スペクトルの結果によると、照射量の増加に伴い、陽子照射後のC_(AS)ピーク及びそのピーク値は次第に低下し、913NMの複合ピークは最初に増大し、その後減少し、このピークは材料調製時のCUドーピングに関係がない。KRイオンの照射後,固有発光ピークは完全に消失した。散乱散乱の結果は,陽子照射と比較して,KRイオンが照射されたとき,LO声子峰峰が低周波数方向に移動し,非対称性が広がり,結晶構造が明らかに変化することを示した。プロトンとKRイオンの照射効果の違いは,シフト損傷の差が少なくとも3つのオーダーによるものである。最後に,多段損傷累積(MULTI-STEP DAMAGE 蓄積,MSDA)モデルを用いて材料内の欠陥の発展過程を得て,損傷量の増加によってGAASの光学性能と結晶構造の変化傾向をよく説明した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ピーク値 ,  ドーピング ,  キャラクタリゼーション ,  *光ルミネセンス ,  非対称性 ,  *Raman散乱 ,  発光 ,  結晶構造 ,  陽子照射 ,  陽子 ,  *散乱 ,  *イオン照射
準シソーラス用語： 材料調製 ,  散乱スペクトル ,  光ルミネセンススペクトル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaAs ,  Irradiation effect ,  Photoluminescence spectrum ,  Raman scattering spectra

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン照射 ,  GaAs ,  光ルミネセンス ,  ラマン散乱 ,  研究