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J-GLOBAL ID：201702284442557296   整理番号：17A0407666

溶液処理AlZnSnO半導体膜とインジウムボール電極を用いて作製した抵抗ランダムアクセスメモリ【Powered by NICT】

Resistive random access memories fabricated by using solution-processed AlZnSnO semiconductor films and indium ball electrodes

著者 (5件)： Hsu Chih-Chieh (Graduate School of Engineering Science and Technology, National Yunlin University of Science and Technology, Douliu, 64002, Taiwan, ROC) ,  Hsu Chih-Chieh (Department of Electronic Engineering, National Yunlin University of Science and Technology, Douliu, 64002, Taiwan, ROC) ,  Hsu Chih-Chieh (Graduate School of Electronic Engineering, National Yunlin University of Science and Technology, Douliu, 64002, Taiwan, ROC) ,  Chen Yu-Ting (Graduate School of Electronic Engineering, National Yunlin University of Science and Technology, Douliu, 64002, Taiwan, ROC) ,  Tsao Che-Chang (Graduate School of Electronic Engineering, National Yunlin University of Science and Technology, Douliu, 64002, Taiwan, ROC)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 696  ページ： 697-700  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗スイッチング層として溶液処理AlZnSnO(AZTO)酸化物半導体膜を用いた抵抗ランダムアクセスメモリ(ReRAM)を作製した。電極をAgペーストを適用してまたはインジウムボールをAZTO表面上に調製した。真空プロセスは必要ではなかった。抵抗スイッチング挙動は,Agペースト電極を用いた抵抗変化型不揮発性メモリ用は認められなかった。しかし,重要な抵抗スイッチング特性は,電極としてInボールを用いた時に得ることができた。添加では,80mAから20mAまでコンプライアンス電流を調整することにより,1839Ωの高抵抗状態と低抵抗状態の間の安定化抵抗差は500操作で得ることができた。ReRAMは少なくとも10~3sのための良好なデータ保持能力と読出し攪乱免疫を示した。電流伝導と抵抗スイッチング挙動の物理的機構についても検討した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 銀 ,  *インジウム ,  ペースト ,  コンプライアンス ,  不揮発性メモリ ,  *半導体 ,  *記憶装置 ,  電流
準シソーラス用語： 読出し ,  データリテンション ,  抵抗変化 ,  酸化物半導体 ,  抵抗スイッチング ,  *ReRAM ,  *溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 薄膜 ,  半導体デバイス ,  電気特性 ,  溶液プロセス ,  メモリ

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 溶液処理 ,  半導体膜 ,  インジウム ,  ボール ,  作製 ,  抵抗ランダムアクセスメモリ