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J-GLOBAL ID：201702284598695101   整理番号：17A0702078

炭素繊維上のSiCナノファイバーの合成と成長機構【Powered by NICT】

Synthesis and growth mechanism of SiC nanofibres on carbon fabrics

著者 (8件)： Dai Jixiang (State Key Laboratory of Structural Analyses for Industrial Equipment, Dalian University of Technology, Dalian 116024, China. [e-mail]) ,  Sha Jianjun ,  Zu Yufei ,  Shao Junqi ,  Lei Mingkai ,  Flauder Stefan ,  Langhof Nico ,  Krenkel Walter
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 19  号： 9  ページ： 1279-1285  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 数ミリメートルの長さを有するSiCナノファイバーでは,触媒なしの方法を用いた炭素布上に首尾よく合成した。SiとSiO_2粉末混合物をガス状化学種の生成のための源として機能した。化学気相反応法に続いて,化学量論に近い組成と高い結晶性の豊富なSiCナノファイバは炭素繊維の表面上に成長させた。相,形態と結晶構造は核形成と成長機構を明らかにするために特性化した。SiCナノファイバーは,塔構造,高密度の積層欠陥を持つ六方晶セグメントの連続的積層を示した。作製プロセスの結合形態と結晶構造の解析による,気相-固相機構とスクリュー転位駆動機構の両方が核形成と本研究でSiCナノ繊維の成長の原因である。本プロセスの重要な利点は,簡便に実現することができ,触媒の助けなく炭素質種々の基質上のSiCナノ構造の作製を可能にするアプローチを提供し,ナノ構造の安価な,長い長さと高純度生産をもたらすことである。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  粉体 ,  六方晶系 ,  結晶度 ,  *炭素繊維 ,  気相 ,  結晶構造 ,  触媒 ,  気相反応 ,  *炭化ケイ素 ,  固相 ,  核形成 ,  *ケイ素 ,  化学量論 ,  *ナノファイバ

分類 (2件)： ガラス繊維,セラミック繊維  (YM03040V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 炭素繊維 ,  SiC ,  ナノファイバー ,  成長