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J-GLOBAL ID:201702284652242433   整理番号:17A0448318

Er~3+,Sc~3+Y_2SiO_5における光学的および電子スピン線幅に及ぼす無秩序の影響【Powered by NICT】

Effects of disorder on optical and electron spin linewidths in Er3+,Sc3+:Y2SiO5
著者 (10件):
資料名:
巻: 63  ページ: 69-75  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0468A  ISSN: 0925-3467  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Sc~3+材料Er~3+Y_2SiO_5共ドープは光学的量子貯蔵と信号処理への応用のために研究した。Sc~3+を含む結晶におけるY~3+の1%を置換しても,1.536μmから25GHzでのEr~3+光学遷移の不均一線幅を増加させることを格子,Sc~3+共ドーピングのないEr~3+:Y_2SiO_5試料と比較して50倍増加に静的歪を紹介した。電子常磁性共鳴分光法によって,電子スピン線幅も強く増加し,障害共鳴スピン-スピン相互作用を阻害することを用いてデコヒーレンス抑制のための以前に提案した機構を確認したことを示した。磁場方位の関数としてスピン線広がりの解析は,電子gテンソルの簡単な変化によってはモデル化できない寄与の存在を示した。2kHz以下の光学的均一線幅は0.1Tの弱磁場ともD-結晶軸近くの配向場と2T以上の磁場及び1.7Kの温度で観測した。これらの結果は,この材料が通信Cバンドにおける広帯域古典的および量子情報処理のための有用であることを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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無機化合物のルミネセンス 
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