文献

J-GLOBAL ID：201702284717576781   整理番号：17A0062055

SiC基板上の単層および二層エピタキシャルグラフェン電界効果トランジスタの比較研究【Powered by NICT】

Comparative Study of Monolayer and Bilayer Epitaxial Graphene Field-Effect Transistors on SiC Substrates

著者 (9件)： He Zezhao (School of Electronic and Information Engineering, Hebei University of Technology) ,  Yang Kewu (School of Electronic and Information Engineering, Hebei University of Technology) ,  Yu Cui (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Liu Qingbin (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Wang Jingjing (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Song Xubo (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Han Tingting (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Feng Zhihong (Hebei Semiconductor Research Institute) ,  Cai Shujun (Hebei Semiconductor Research Institute)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 33  号： 8  ページ： 086801-1-086801-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層と二重層グラフェンは,そのユニークな特徴のために潜在的に有用な電子材料として大きな興奮を作成した。SiC基板上に作製した単層及び二層エピタキシャルグラフェン電界効果トランジスタ(GFET)について報告した。単層GFETと比較して,二層GFETはdc特性を顕著に改善し,電流密度の増加I(DS),改良された相互コンダクタンスg_m,減少したシート抵抗R(),電流飽和を示した。二層グラフェンにおける改善された電気的特性と調整可能なバンドギャップは二層GFETの優れたdc性能をもたらした。さらに改善されたdc特性は二層グラフェンデバイスのための良好なrf性能を増強し,SiC基板上の準自由起立二層グラフェンは,将来のグラフェン系エレクトロニクスのための大きな応用の可能性を持っていることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流密度 ,  *単一層 ,  *グラフェン ,  電子技術 ,  相互コンダクタンス ,  *FET【トランジスタ】 ,  シート抵抗 ,  バンドギャップ ,  *炭化ケイ素 ,  電流
準シソーラス用語： 二層グラフェン ,  電子材料 ,  二重層 ,  *比較研究 ,  *二層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC基板 ,  単層 ,  二層 ,  エピタキシャルグラフェン ,  電界効果トランジスタ ,  研究