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J-GLOBAL ID：201702284741700199   整理番号：17A0702737

GaNナノワイヤの配向制御と原子スケールヘテロエピタキシャル界面の研究【Powered by NICT】

Alignment control and atomically-scaled heteroepitaxial interface study of GaN nanowires

著者 (9件)： Liu Qingyun (Shenyang National Laboratory for Materials Science (SYNL), Institute of Metal Research (IMR), Chinese Academy of Sciences (CAS), No. 72, Wenhua Road, Shenhe District, Shenyang 110016, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Liu Baodan ,  Yang Wenjin ,  Yang Bing ,  Zhang Xinglai ,  Labbe Christophe ,  Portier Xavier ,  An Vladimir ,  Jiang Xin
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 16  ページ： 5212-5221  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 良く整列したGaNナノワイヤは,建物の高性能オプトエレクトロニックナノデバイスのための有望な候補である。本研究では,単純な触媒支援化学蒸着プロセスとその配列制御における[0001]-配向したサファイア基板上のよく整列したGaNナノワイヤのエピタキシャル成長を実証した。アンモニア流束は,GaNナノ結晶とその配向の初期核形成を支配する重要な役割を果たすことが分かった。典型的には,GaNナノワイヤ配列の有意な改善は,低NH_3流量で実現できる。X線回折と断面走査電子顕微鏡研究は,[0001]方向に沿ったGaNナノワイヤの優先配向を確認した。GaNナノワイヤアレイの成長機構も断面高分解能透過型電子顕微鏡(HRTEM)特性に基づいてよく研究されている,GaNナノワイヤは(0001)GaN∥(0001)サファイアと(1010)GaN∥(1120)サファイアの間の結晶学的関係に従ってサファイア基板上に良好なエピタキシャル成長を持つことが観察された。最も重要なことは,またGaNナノワイヤとサファイア基板の間の大きな格子不整合に起因する界面領域で実験的に観測した周期的不整合転位と,このような転位の形成は,GaNナノワイヤにおける構造歪の解放を好都合であろう。HRTEM解析は,「I型」積層欠陥とGaNナノワイヤ内部のボイドの存在を見出した。光学的研究は,GaNナノワイヤアレイは紫外領域に強い発光,それらの結晶性と化学的純度を示唆したことを示唆した。整列GaNナノワイヤの実現は,さらにこのナノLED,太陽電池,光検出器などを含む多様な高速光電子ナノデバイスへのGaNナノ構造の広範な応用を促進するであろう。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶度 ,  核形成 ,  優先配向 ,  *窒化ガリウム ,  サファイア ,  *界面 ,  *ナノワイヤ ,  アラインメント ,  X線回折 ,  触媒 ,  ナノ結晶 ,  太陽電池 ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： ナノワイヤアレイ ,  サファイア基板 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  ナノワイヤ ,  配向制御 ,  原子 ,  界面 ,  研究