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J-GLOBAL ID：201702284859334167   整理番号：17A0229458

2Dハイブリッドvan der Waals p-nナノヘテロ接合に対するMoS₂ナノシート上でのC₆₀テンプレート形成

Templating C₆₀ on MoS₂ Nanosheets for 2D Hybrid van der Waals p-n Nanoheterojunctions

著者 (10件)： CHEN Runfeng (Nanjing Univ. Posts and Telecommunications, Nanjing, CHN) ,  LIN Cheng (Nanjing Univ. Posts and Telecommunications, Nanjing, CHN) ,  YU Huan (Nanjing Univ. Posts and Telecommunications, Nanjing, CHN) ,  TANG Yuting (Nanjing Univ. Posts and Telecommunications, Nanjing, CHN) ,  SONG Chao (Nanjing Univ. Posts and Telecommunications, Nanjing, CHN) ,  YUWEN Lihui (Nanjing Univ. Posts and Telecommunications, Nanjing, CHN) ,  LI Hai (Nanjing Tech Univ., Nanjing, CHN) ,  XIE Xiaoji (Nanjing Tech Univ., Nanjing, CHN) ,  WANG Lianhui (Nanjing Univ. Posts and Telecommunications, Nanjing, CHN) ,  HUANG Wei (Nanjing Tech Univ., Nanjing, CHN)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 28  号： 12  ページ： 4300-4306  発行年： 2016年06月28日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低コスト高効率オプトエレクトロニクス素子の製造に関連して,本論文では,2Dハイブリッドvan der Waals p-nナノヘテロ接合に対して,溶媒移動表面堆積(STSD)法を介したMoS₂ナノシート上でのC₆₀テンプレート形成を提示した。ハイブリッドナノマテリアルの例として,ITO/C₆₀-MoS₂ナノ複合材料/Alにおける電荷移動を調べた。その結果に基づいて,この素子は,低SET/RESET電圧(約3V)の書換え可能な不揮発性抵抗スイッチング,および優れた電気的双安定性(>10⁴s)のフラッシュメモリ挙動,を示すことを記した。この特性は,C₆₀またはMoS₂ナノシートでは観測されない特性であり,C₆₀/MoS₂ p-nナノ接合に起因すると推論した。

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *ナノ構造 ,  複合構造 ,  *硫化モリブデン ,  *フラーレンC60 ,  van der Waals力 ,  *電荷移動 ,  電流電圧特性 ,  スイッチング ,  非揮発性 ,  双安定性 ,  フラッシュメモリ ,  記録 ,  PN接合 ,  ハイブリッド複合材料
準シソーラス用語： 二硫化モリブデン ,  抵抗スイッチング ,  書換え可能記録 ,  P-Nヘテロ接合

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  電荷移送デバイス  (NC03130E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 2D ,  VAN ,  ヘテロ接合 ,  MoS2 ,  ナノシート ,  C60 ,  テンプレート