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J-GLOBAL ID：201702284880339318   整理番号：17A0047732

高帯域LTEフィルタリングアプリケーション用高結合係数2.3GHz AlN共振器

A High Coupling Coefficient 2.3-GHz AlN Resonator for High Band LTE Filtering Application

著者 (6件)： Zhu Yao (Agency for Science, Technology and Research, Institute of Microelectronics, Singapore) ,  Wang Nan (Agency for Science, Technology and Research, Institute of Microelectronics, Singapore) ,  Sun Chengliang (Agency for Science, Technology and Research, Institute of Microelectronics, Singapore) ,  Merugu Srinivas (Agency for Science, Technology and Research, Institute of Microelectronics, Singapore) ,  Singh Navab (Agency for Science, Technology and Research, Institute of Microelectronics, Singapore) ,  Gu Yuandong (Agency for Science, Technology and Research, Institute of Microelectronics, Singapore)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 37  号： 10  ページ： 1344-1346  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本レターは,フィルムバルク音響共振器(FBAR)に匹敵する,高有効結合係数(k²_eff)および低挿入損失(IL)を有する窒化アルミニウム(AlN)ベースのマイクロメカニカル共振器を報告した。組織内で製作した共振器は,リソグラフィによってパターン化された上部および下部モリブデン櫛形電極フィンガと,その間に挟まれた厚さ1μm厚のAlN層を含む。構成厚みモードと横モードの間の相乗的なモード間結合を,縮退断面Lameモードのサブカテゴリとして扱うことができる広い周波数範囲内で実現することができ,k²_effを損なうことなく,共振周波数のリソグラフィチューニングの能力を可能にした。測定結果は,設計した2.3GHzの共振器が,50Ω終端のネットワークに直結すると同時に,6.34%のk²_effと0.26dBのILを達成し,それを無線ローカルエリアネットワーク(WLAN)および高帯域ロングタームエボリューション(LTE)帯域選択フィルタリングアプリケーションに対する有望な候補にすることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *音響共振器 ,  結合係数 ,  挿入損 ,  窒化アルミニウム ,  *電極 ,  共振周波数 ,  *無線LAN ,  規格
準シソーラス用語： *フィルムバルク音響共振器 ,  挿入損失 ,  *櫛形電極 ,  *無線ローカルエリアネットワーク ,  ロングタームエボリューション

分類 (1件)： 共振器  (NC04050Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高帯域 ,  LTE ,  フィルタリング ,  アプリケーション ,  結合係数 ,  AlN ,  共振器