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J-GLOBAL ID：201702284891477541   整理番号：17A0029837

パワーデバイス-II 東芝における産業用パワーデバイスの技術

著者 (3件)： 青山育也 (東芝 インフラシステムソリューション社 府中インフラシステムソリューション工場) ,  葛巻淳彦 (東芝 エネルギーシステムソリューション社 電力・社会システム技術開発セ) ,  山本肇 (東芝 インフラシステムソリューション社)
資料名： 鉄道車両と技術  (Rolling Stock & Technology)
巻： 22  号： 11  ページ： 4-7  発行年： 2016年11月30日 
JST資料番号： L8126A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： パワーエレクトロニクス技術により電気エネルギーの電圧,電流/周波数を変換するための装置(電力変換装置)のキーデバイスがパワー半導体デバイスである.このキーデバイスの中でも半導体スイッチング素子,例えばIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)素子性能の飛躍的な進歩により,電力変換装置の高効率,小型軽量化が図られてきた。本稿では,シリコン,およびSiCパワー半導体デバイスの特徴,東芝でのデバイス開発状況,SiCパワー半導体デバイスの鉄道向け開発事例を紹介した。開発されたデバイスとして,IGBTのオン電圧を低減する独自のデバイス構造を有するIEGTと,大幅な損失低減を図ったSJ-MOSFET(Super Junction-MOSFET)とを紹介した。

シソーラス用語： *半導体素子 ,  パワーエレクトロニクス ,  電圧 ,  電流 ,  周波数 ,  *電力変換器 ,  *IGBT ,  軽量化 ,  ケイ素 ,  *鉄道 ,  電力トランジスタ
準シソーラス用語： *IEGT ,  SiCパワーデバイス ,  *パワーデバイス ,  損失低減 ,  電気エネルギー ,  半導体スイッチ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： パワーデバイス ,  産業